[发明专利]微机电系统压力传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

在半导体衬底中形成压力腔开口；

在半导体衬底上键合绝缘体上硅基片，形成压力腔，所述绝缘体上硅基片包括顶层硅层、埋氧层和衬底硅层，其中顶层硅层与半导体衬底键合；

去除衬底硅层至露出埋氧层；

在埋氧层上形成氧化硅层；

蚀刻氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层，形成与后续敏感电阻位置对应的开口；

沿开口向顶层硅层注入离子，形成敏感电阻；

在氧化硅层上形成导电层，且导电层填充满开口，形成与敏感电阻连通的电极。

2.根据权利要求1所述微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，所述压力腔开口的深度为后续加压时，顶层硅层有释放的空间。

3.根据权利要求2所述微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，所述顶层硅层为N型硅。

4.根据权利要求1所述微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，向顶层硅层注入的离子为P型离子。

5.根据权利要求4所述微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，所述P型离子为硼离子。

6.根据权利要求1所述微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，形成导电层的方法为磁控溅射法。

7.根据权利要求6所述微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，所述导电层的材料为铝或金。

8.一种微机电系统压力传感器，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的压力腔，其特征在于，还包括：

绝缘体上硅基片中的顶层硅层，与半导体衬底键合，覆盖压力腔；绝缘体上硅基片中的埋氧层，位于顶层硅层上；位于埋氧层上的氧化硅层；开口，贯穿氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层；敏感电阻，位于顶层硅层中，与开口位置对应；电极，位于开口内和氧化硅层上，与敏感电阻连通。