[发明专利]化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 200710094429.1 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101456150A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括两个研磨步骤，第一步，以晶圆速率与研磨垫速率的比值在1∶0.9至1∶1.1的范围条件下进行研磨；第二步在晶圆速率与研磨垫速率的比值在5∶1至20∶1的范围条件下进行研磨。
2. 根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，第二步中在晶圆速率与研磨垫速率的比值在5∶1至12∶1的范围条件下进行研磨。
3. 根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，第一步中晶圆速率与研磨垫速率的比值为1∶1，第二步中晶圆速率与研磨垫速率的比之为10∶1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710094429.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
