[发明专利]降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法

权利要求书

1.一种降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法，该光刻显影方法包括在硅片上涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘及测量，其特征在于：在硬烘之后还包括一显影清洗工艺，所述显影清洗工艺包括：先用纯水或显影液对硬烘后的硅片进行预浸润，后喷涂显影液，接着显影，最后用纯水进行冲洗。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法通过光刻设备的导轨设备系统来实现。

3.按照权利要求2所述的方法，其特征在于：工艺过程的参数为：显影液或纯水流量0～10毫升/秒，不包括0；硅片旋转速度0～100000转/分；硅片旋转加速度0～100000转/分；显影液喷嘴移动速度0～300毫米/秒；显影液喷涂时间0～120秒，不包括0；显影时间0～360秒，不包括0；纯水冲洗时间0～360秒，不包括0。

4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法通过湿法清洗设备来实现。

5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于：所述显影清洗工艺中所用的化学药品包括纯水和对光刻胶无腐蚀的化学药液。

6.一种降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法，该光刻显影方法包括在硅片上涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘及测量，其特征在于：在测量之后还包括一显影清洗工艺，所述显影清洗工艺包括：先用纯水或显影液对硬烘后的硅片进行预浸润，后喷涂显影液，接着显影，最后用纯水进行冲洗。

7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于：所述方法通过光刻设备的导轨设备系统来实现。

8.按照权利要求7所述的方法，其特征在于：工艺过程的参数为：显影液或纯水的流量为0～10毫升/秒，不包括0；硅片旋转速度为0～100000转/分；硅片旋转加速度为0～100000转/分；显影液的喷嘴移动速度为0～300毫米/秒；显影液的喷涂时间为0～120秒，不包括0；显影时间为0～360秒，不包括0；纯水冲洗时间为0～360秒，不包括0。

9.按照权利要求6所述的方法，其特征在于：所述方法通过湿法清洗设备来实现。

10.按照权利要求9所述的方法，其特征在于：所述显影清洗工艺中所用的化学药品包括纯水和对光刻胶无腐蚀性的化学药液。