[发明专利]测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法有效
| 申请号： | 200710094460.5 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459094A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 范建国;蔡丹华;季峰强;刘培芳;董智刚;徐皓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 半球形 颗粒 多晶 厚度 方法 | ||
1.一种半球形颗粒多晶硅层的形态和电性参数控制方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供带有半球形颗粒多晶硅层的半导体衬底；
椭圆偏振光入射至半球形颗粒多晶硅层，在半球形颗粒多晶硅层中经过反射透射后，接受反射出半球形颗粒多晶硅层最高点表面的线偏振光；
比较入射前偏振光与反射后偏振光的偏振态变化，获得半球形颗粒多晶硅层的厚度；
根据半球形颗粒多晶硅层的厚度，控制半球形颗粒多晶硅层的形态和电性参数。
2.根据权利要求1所述半球形颗粒多晶硅层的形态和电性参数控制方法，其特征在于，所述椭圆偏振光通过以下步骤形成：
由光源发射出的激光经过起偏器变为线偏振光；
线偏振光经过1/4波片，由于双折射现象，使其分解成互相垂直的P波和S波，成为椭圆偏振光。
3.根据权利要求1所述半球形颗粒多晶硅层的形态和电性参数控制方法，其特征在于，所述椭圆偏振光在半球形颗粒多晶硅层中经过反射透射的步骤还包括：
椭圆偏振光以角度入射至半球形颗粒多晶硅层的最高点表面后，一部分光直接在最高点表面上反射，另一部分光则以透射角透射进入半球形颗粒多晶硅层中，其中，透射进入半球形颗粒多晶硅层中的一部分光经由最高点表面反射出半球形颗粒多晶硅层，另一部分光以透射角透射出半球形颗粒多晶硅层的第二表面。
4.根据权利要求1所述半球形颗粒多晶硅层的形态和电性参数控制方法，其特征在于，所述半球形颗粒多晶硅层的形成方法为化学气相沉积法。
5.根据权利要求4所述半球形颗粒多晶硅层的形态和电性参数控制方法，其特征在于，所述半球形颗粒多晶硅层的厚度为580埃～750埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
