[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 200710094464.3 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459106A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈海华;黄怡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底，所述腐蚀阻挡层中有贯穿腐蚀阻挡层且露出垫氧化层的开口；
以腐蚀阻挡层为掩膜，沿开口刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽，其中，浅沟槽侧壁有聚合物；
通入与聚合物反应的气体，所述与聚合物反应的气体为氧气，所述氧气的流量为180sccm～220sccm，去除残留聚合物；
在浅沟槽内填充满绝缘氧化层；
去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述通入氧气时间为15秒～25秒。
3.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，刻蚀垫氧化层和半导体衬底的方法为干法刻蚀法。
4.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，填充绝缘氧化层的方法为高密度等离子体化学气相沉积法。
5.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，去除腐蚀阻挡层和垫氧化层的方法为湿法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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