[发明专利]形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法

权利要求书

1.一种形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，包括：

提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；

在腐蚀阻挡层上形成第一掩膜层；

在第一掩膜层上依次形成抗反射层和图案化光刻胶层；

以光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层和第一掩膜层至露出腐蚀阻挡层；

去除光刻胶层和抗反射层后，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底；

以第一掩膜层、腐蚀阻挡层和垫氧化层为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成浅沟槽；

去除第一掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；

去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。

2.根据权利要求1所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述形成第一掩膜层的方法为热分解化学气相沉积。

3.根据权利要求2所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，刻蚀第一掩膜层的方法为干法刻蚀法。

4.根据权利要求3所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用的气体为氧气或氧气与氟化碳组合。

5.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供依次带有垫氧化层、腐蚀阻挡层、第一掩膜层、抗反射层和图案化光刻胶层的半导体衬底；

以光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层和第一掩膜层至露出腐蚀阻挡层；去除光刻胶层和抗反射层后，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底；

以第一掩膜层、腐蚀阻挡层和垫氧化层为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成浅沟槽。

6.根据权利要求5所述刻蚀方法，其特征在于，刻蚀第一掩膜层的方法为干法刻蚀法。

7.根据权利要求6所述刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用的气体为氧气或氧气与氟化碳组合。

8.一种形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，包括：

提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；

在腐蚀阻挡层上形成第一掩膜层；

在第一掩膜层上形成第二掩膜层；

在第二掩膜层上依次形成抗反射层和图案化光刻胶层；

以光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层和第二掩膜层至露出第一掩膜层；

去除光刻胶层和抗反射层后，以第二掩膜层为掩膜，刻蚀第一掩膜层至露出腐蚀阻挡层；

去除第二掩膜层后，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底；

以第一掩膜层、腐蚀阻挡层和垫氧化层为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成浅沟槽；

去除第一掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；

去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。

9.根据权利要求8所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为无定型碳。

10.根据权利要求9所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述形成第一掩膜层的方法为热分解化学气相沉积。

11.根据权利要求10所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，刻蚀第一掩膜层的方法为干法刻蚀法。

12.根据权利要求11所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用的气体为氧气或氧气与氟化碳组合。

13.根据权利要求8所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

14.根据权利要求13所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述形成第二掩膜层的方法为等离子体增强化学气相沉积。

15.根据权利要求8所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，刻蚀抗反射层和第二掩膜层的方法为干法刻蚀法。

16.根据权利要求15所述形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用的气体为氧气或氟化碳。