[发明专利]减小SRAM阱邻近效应的方法

权利要求书

1.一种减小SRAM阱邻近效应的方法，其特征在于，包括下列步骤，

提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；

将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；

测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件中同一MOS管的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；

若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；

若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势不相同，则将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界的移动方向取反，并保持移动距离不变来重新获得对应的SRAM更新布图；

若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图；

若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，所测得的电性参数与对应目标值的差值超出容忍范围，则改变单个SRAM初始布图同一阱中两条边界的移动距离来重新获得对应的SRAM更新布图，直到所测得的根据所述SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数与对应的目标值差值在容忍范围之内。

2.如权利要求1所述的减小SRAM阱邻近效应的方法，其特征在于，所述测量根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数为测量SRAM器件中同一MOS管的同一种电性参数。

3.如权利要求2所述的减小SRAM阱邻近效应的方法，其特征在于，所述电性参数为MOS管的阈值电压。

4.如权利要求1所述的减小SRAM阱邻近效应的方法，其特征在于，所述将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离包括，将N阱与P阱邻接的边界向P阱方向移动，N阱的另一条边界移动方向与所述邻接边界移动方向相反，P阱的另一条边界向N阱的方向移动；或者将P阱与N阱的邻接边界向N阱方向移动，P阱的另一条边界的移动方向与所述邻接边界移动方向相反，N阱的另一条边界向P阱的方向移动。