[发明专利]物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法有效
| 申请号： | 200710094497.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458150A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;苏娜;胡宇慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/40 | 分类号： | G01M3/40;G01M3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 物理 气相淀积 沉积 气密性 检测 方法 | ||
1.一种物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于，包括：
运行第一控片，所述第一控片的运行时间大于或等于检测反应时间；
对第二控片执行物理气相淀积操作；
检测所述第二控片的阻值；
所述第二控片的阻值符合检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性符合产品要求；所述第二控片的阻值大于检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性不符合产品要求。
2.根据权利要求1所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：所述物理气相淀积沉积腔室专用于金属化制程。
3.根据权利要求2所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：所述金属化制程包含形成减小器件的接触电阻的接触层的操作。
4.根据权利要求3所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：所述接触层包含TiSix、CoSix或NiSix。
5.根据权利要求1所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：运行第一控片时，所述物理气相淀积沉积腔室的反应功率为零。
6.一种物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于，包括：
对包含首、末控片及用以维持所述沉积腔室运行的至少一片中间控片执行物理气相淀积操作，对所述首、末控片执行物理气相淀积操作的间隔时间大于检测反应时间；
检测所述首、末控片的阻值；
所述首、末控片的阻值之差符合检测标准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性符合产品要求；所述首、末控片的阻值之差大于检测标准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性不符合产品要求。
7.根据权利要求6所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：所述物理气相淀积沉积腔室专用于金属化制程。
8.根据权利要求7所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：所述金属化制程包含形成减小器件的接触电阻的接触层的操作。
9.根据权利要求8所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：所述接触层包含TiSix、CoSix或NiSix。
10.根据权利要求6所述的物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于：在所述间隔时间内，所述物理气相淀积沉积腔室的反应功率为零。
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