[发明专利]浅沟槽隔离区形成方法有效
| 申请号： | 200710094519.0 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459113A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张文广;郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上形成浅沟槽；
沉积部分隔离层，所述部分隔离层覆盖所述浅沟槽；
对沉积部分隔离层后的半导体基底执行刻蚀操作，以形成隔离分层，所述刻蚀操作涉及的刻蚀气体中包含氨气；
顺序形成后续隔离分层，以在填充所述浅沟槽后形成浅沟槽隔离区。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述刻蚀气体中还包含三氟化氮。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述沉积及刻蚀操作采用HDPCVD反应系统进行。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述沉积及刻蚀操作应用沉积-刻蚀-沉积反应系统进行。
5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述反应系统包括第一反应装置，用以执行沉积操作；第二反应装置，与第一反应装置分离，用以执行刻蚀操作。
6.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述反应系统还包括制程控制装置，用以承载及运送所述半导体基底，并完成所述半导体基底在所述第一反应装置和所述第二反应装置间的切换。
7.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述第一反应装置包含LPCVD、SACVD、APCVD、PECVD或HDPCVD。
8.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述第二反应装置为等离子体刻蚀、等离子体清洗装置或PVD系统中的溅射装置。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述氨气的流量范围为10～200sccm。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述刻蚀操作涉及的功率范围为10～50瓦。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述刻蚀操作涉及的反应温度范围为100～300摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
