[发明专利]半导体基底清洗方法

权利要求书

1.一种半导体基底清洗方法，其特征在于，包括：

旋转半导体基底；

在采用酸性氧化溶液清洗所述半导体基底的过程中，逐级减小所述半导体基底的转速；

进行酸性氧化溶液清洗后操作，在执行所述酸性氧化溶液清洗后操作时，半导体基底的转速小于酸性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速的平均值；

利用碱性氧化溶液清洗经历酸性氧化溶液清洗后的所述半导体基底。

2.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，所述半导体基底表面具有残留的抗蚀剂。

3.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，旋转所述半导体基底时，转速为600～800rpm。

4.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，逐级减小所述半导体基底的转速的步骤包括：分三级减小所述半导体基底的转速。

5.根据权利要求4所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，第一级转速为600～800rpm。

6.根据权利要求4所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，第二级转速为400～600rpm。

7.根据权利要求4所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，第三级转速为50～300rpm。

8.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，执行所述清洗后操作时，所述半导体基底的转速为100～300rpm。

9.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，在酸性氧化溶液清洗后操作和利用碱性氧化溶液清洗半导体基底的操作之间，还包括：去除残留的酸性氧化溶液的去离子水清洗操作。

10.根据权利要求9所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，所述去离子水清洗操作过程中，去离子水的温度大于60摄氏度，且小于80摄氏度。

11.根据权利要求9所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，所述去离子水清洗操作过程中，所述半导体基底的转速为400～600rpm。

12.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，所述碱性氧化溶液的温度大于30摄氏度，且小于50摄氏度。

13.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，执行所述碱性氧化溶液清洗操作过程时，所述半导体基底的转速为400～600rpm。

14.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，在经历碱性氧化溶液清洗操作后，还包括，碱性氧化溶液清洗后操作，执行所述清洗后操作时，半导体基底的转速小于碱性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速。

15.根据权利要求14所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，执行所述碱性氧化溶液清洗后操作时，所述半导体基底的转速为400～600rpm。

16.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，在经历碱性氧化溶液清洗操作后，还包括，去除残留的碱性氧化溶液的去离子水清洗操作。

17.根据权利要求14所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，在经历碱性氧化溶液清洗后操作之后，还包括，去除残留的碱性氧化溶液的去离子水清洗操作。

18.根据权利要求16或17所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，所述去离子水清洗操作过程中，所述去离子水的温度大于60摄氏度，且小于80摄氏度。

19.根据权利要求16或17所述的半导体基底清洗方法，其特征在于，执行所述去离子水清洗操作时，所述半导体基底的转速为400～600rpm。