[发明专利]曝光装置和方法

权利要求书

1.一种曝光装置，包括：掩模台和晶圆台，其特征在于，所述掩模台具有支撑第一掩模版和第二掩模版所需的面积，所述第一掩模版具有第一方向布局图形，所述第二掩模版具有第二方向布局图形。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，还包括与所述掩模台连接、将所述第一掩模版和第二掩模版定位在掩模台上的第一定位系统。

3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述第一定位系统包括：探测第一掩模版、第二掩模版的位置的第一位置传感器，计算第一位置传感器探测到的第一掩模版、第二掩模版的位置相对于预设的第一掩模版、第二掩模版位置的偏移的第一计算单元，在所述掩模版的位置的偏移超出了预设的位置误差范围时调整所述第一掩模版、第二掩模版的位置的第一调整单元。

4.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，还包括与所述晶圆台连接、将晶圆定位在所述晶圆台上的第二定位系统。

5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述第二定位系统包括：探测所述晶圆的位置的第二位置传感器，计算第二位置传感器探测到的晶圆的位置相对于预设的晶圆位置的偏移的第二计算单元，在所述晶圆的位置的偏移超出了预设的位置误差范围时调整所述晶圆的位置的第二调整单元。

6.一种曝光方法，其特征在于，包括下述步骤：

将具有第一方向布局图形的第一掩模版和具有第二方向布局图形的第二掩模版定位在掩模台上，所述掩模台具有支撑第一掩模版和第二掩模版所需的面积；

将待曝光的晶圆定位在晶圆台上；

将所述第一掩模版与所述待曝光的晶圆对准；

对所述晶圆进行第一方向的曝光；

将所述第二掩模版与所述待曝光的晶圆对准；

对所述晶圆进行第二方向的曝光。

7.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述将第一掩模版和第二掩模版定位在掩模台上包括：

探测放置在掩模台上的第一掩模版的位置，并在所述第一掩模版的位置相对于预设的第一掩模版位置的偏移超出了预设的位置误差范围时调整放置在掩模台上的第一掩模版的位置；

探测放置在掩模台上的第二掩模版的位置，并在所述第二掩模版的位置相对于预设的第二掩模版位置的偏移超出了预设的位置误差范围时调整放置在掩模台上的第二掩模版的位置。

8.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述将待曝光的晶圆定位在晶圆台上包括：探测放置在晶圆台上的晶圆的位置，并在所述晶圆的位置相对于预设的晶圆位置的偏移超出了预设的位置误差范围时调整所述晶圆的位置。

9.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述将第一掩模版与晶圆对准包括：根据第一掩模版的对准标记和晶圆的对准标记，移动掩模台和/或晶圆台。

10.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述将第二掩模版与晶圆对准包括：根据第二掩模版的对准标记和晶圆的对准标记，移动掩模台和/或晶圆台。

11.一种曝光方法，其特征在于，包括依次对多片晶圆进行双极曝光，其中，

对第一待曝光的晶圆进行双极曝光包括：

将具有第一方向布局图形的第一掩模版和具有第二方向极布局图形的第二掩模版定位在掩模台上，所述掩模台具有支撑第一掩模版和第二掩模版所需的面积；

将所述第一待曝光的晶圆定位在晶圆台上；

将所述第一掩模版与所述第一待曝光的晶圆对准，对所述晶圆进行第一方向的曝光；

将所述第二掩模版与所述第一待曝光的晶圆对准，对所述晶圆进行第二方向的曝光，

对其他待曝光的晶圆进行双极曝光包括：

将所述待曝光的晶圆定位在晶圆台上；

将所述第一掩模版与所述待曝光的晶圆对准，对所述晶圆进行第一方向的曝光；

将所述第二掩模版与所述待曝光的晶圆对准，对所述晶圆进行第二方向的曝光。