[发明专利]套刻精度的控制方法和装置有效
| 申请号： | 200710094528.X | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458456A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨晓松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 精度 控制 方法 装置 | ||
1.一种套刻精度的控制方法，其特征在于，包括：
获取前层光刻工艺的光刻工艺条件；
根据前层光刻工艺的光刻工艺条件计算工艺过程引入的误差，并根据前 层光刻工艺的光刻工艺条件和计算所得的工艺过程引入的误差计算当层曝光 机台的工艺补偿值；
根据计算得到的当层曝光机台的工艺补偿值，控制当层曝光机台进行光 刻工艺，
其中，所述前层光刻工艺的光刻工艺条件包括：前层曝光机台的误差值、 前层曝光机台的工艺补偿值，所述当层曝光机台的工艺补偿值根据下述公式 计算：
PC(M0，l0)＝PC(m0，l-1)+[MS(m0，l-1)-MS(M0，l0)]+PIE(m0，M0)
其中，PC(M0，l0)表示当层曝光机台的工艺补偿值，PC(m0，l-1)表示前层曝光 机台的工艺补偿值，MS(m0，l-1)表示前层曝光机台的误差值，MS(M0，l0)表示 当层曝光机台的误差值，PIE(m0，M0)表示工艺过程引入的误差，其根据下述 公式计算：
其中，PIE(m0，M0)new表示计算得到的晶圆在进行曝光过程时所需对应的工艺 过程引入的误差，PIE(m0，M0)old表示已有的工艺过程引入的误差，k表示首 次曝光工艺权重因子，C1表示加权因子，R1(m0，M0)表示PIE的可靠性系数， 其根据下述公式计算：
LPIE(L0，l0)表示每批次晶圆本身所对应的工艺过程误差，其根据下述公式计 算：
LPIE(L0，l0)＝PC(M0，l0)-PC(m0，l-1)+MS(M0，l0)-MS(m0，l-1)-OV(L0，l0)
其中，OV(L0，l0)是测量曝光后的晶圆所得的位置对准误差。
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