[发明专利]等离子体刻蚀的终点监测方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于，包括：

在进行等离子体刻蚀的反应室内壁形成刻蚀交换层；

在反应室内通入刻蚀剂对被刻蚀膜层进行等离子刻蚀，刻蚀交换层中包 含所述刻蚀剂中包含的元素；

监测反应室内被刻蚀膜层的OES曲线，当所述被刻蚀膜层的OES曲线的 斜率为0时，即为刻蚀终点；

反应室内壁刻蚀交换层的元素成分与随后进行等离子体刻蚀时采用的刻 蚀剂的元素成分相同；

所述刻蚀剂中含有的刻蚀离子的质量百分比小于等于刻蚀交换层中含有 的刻蚀离子的质量百分比。

2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于， 反应室内壁所述膜层中含有的刻蚀离子的质量百分比小于等于刻蚀剂中含有 的刻蚀离子的质量百分比的4倍。

3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于， 形成刻蚀交换层的工艺与对被刻蚀膜层进行等离子刻蚀的工艺相同。

4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于， 所述被刻蚀层包含多晶硅层、介质层或金属层中的一种。

5.根据权利要求4所述的等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于， 所述被刻蚀膜层包含多晶硅层时，所述刻蚀剂中包含SiCl₄，所述SiCl₄的流量 范围为10～300sccm。

6.根据权利要求4所述的等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于， 所述介质层包含氧化层或者氮化层或者氮氧化层。

7.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于， 所述介质层为氧化硅时，所述刻蚀剂中包含C₄F₈，C₄F₈的流量范围为10～ 300sccm。

8.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于， 所述介质层为氮化层或氮氧化层时，所述刻蚀剂中包含CH₂F₂，CH₂F₂的流量 范围为10～300sccm。