[发明专利]排气系统及晶片热处理装置有效
| 申请号： | 200710094538.3 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459042A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李春龙;赵星;宋海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;C23C16/44;C30B25/14;F27D7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董立闽;李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 排气 系统 晶片 热处理 装置 | ||
1.一种排气系统，包括排气通路，在所述排气通路上依次连接有第一气体冷却装置和压力控制装置，其特征在于：在所述第一气体冷却装置与所述压力控制装置之间的所述排气通路上还连接有第二气体冷却装置，且所述第一气体冷却装置与所述第二气体冷却装置之间的排气通路、及压力控制装置还通过排水管与排水装置相连。
2.如权利要求1所述的排气系统，其特征在于：所述压力控制装置利用排水分管单独连接至所述排水装置。
3.如权利要求1或2所述的排气系统，其特征在于：所述第一气体冷却装置与所述第二气体冷却装置利用排水管共同连接至所述排水装置。
4.如权利要求1或2所述的排气系统，其特征在于：所述排气系统与低压化学气相沉积设备的炉管相连。
5.如权利要求4所述的排气系统，其特征在于：所述排气系统排出的气体包括1，2-二氯乙烷及水蒸汽。
6.如权利要求5所述的排气系统，其特征在于：所述压力控制器利用活塞实现自动压力控制。
7.一种晶片热处理装置，包括处理室，供气系统及排气系统，所述排气系统包括与处理室相连的排气通路，在所述排气通路上依次连接有第一气体冷却装置和压力控制装置，其特征在于：在所述第一气体冷却装置与所述压力控制装置之间的所述排气通路上还连接有第二气体冷却装置，且所述第一气体冷却装置与所述第二气体冷却装置之间的排气通路、以及压力控制装置还通过排水管与排水装置相连。
8.如权利要求7所述的晶片热处理装置，其特征在于：所述压力控制装置利用排水分管单独连接至所述排水装置。
9.如权利要求7或8所述的晶片热处理装置，其特征在于：所述第一气体冷却装置与所述第二气体冷却装置利用排水主管连接至所述排水装置。
10.如权利要求7或8所述的晶片热处理装置，其特征在于：晶片热处理装置为低压化学气相沉积设备。
11.如权利要求10所述的晶片热处理装置，其特征在于：所述低压化学气相沉积设备的排气系统排出的气体包括1，2-二氯乙烷及水蒸汽。
12.如权利要求11所述的晶片热处理装置，其特征在于：所述压力控制器利用活塞实现自动压力控制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
