[发明专利]晶圆在线检测方法及在线检测装置有效
申请号: | 200710094542.X | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101459095A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 李健;胡骏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 董立闽;李 丽 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 在线 检测 方法 装置 | ||
1.一种晶圆在线检测方法,其特征在于,包括步骤:
提供待检测晶圆,所述待检测晶圆上周期性排列复数个单元,且各所述单元内具有检测区域;
确定所述检测区域在对应单元内的位置;
根据所述检测区域在对应单元内的位置确定各所述检测区域在所述待检测晶圆上的分布;
根据各所述检测区域在所述待检测晶圆上的分布,选取复数个待检测单元,所述复数个待检测单元的检测区域在晶圆上的分布是对称的;
检测所述复数个待检测单元的检测区域,得到各检测数据。
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述根据各所述检测区域在所述待检测晶圆上的分布选取复数个待检测单元,包括步骤:
按照各所述检测区域至所述待检测晶圆圆心的距离选取复数个待检测单元,令所述复数个待检测单元的所述检测区域至所述圆心的距离各不相同。
3.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于:所述复数个待检测单元为9至13个。
4.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于:所述检测数据包括薄膜生长厚度、研磨后薄膜厚度、刻蚀深度及光刻套刻精度中的任一种。
5.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于:得到各检测数据后,还包括步骤:
对所述各检测数据进行分析,判断所述待检测晶圆的工艺情况是否符合要求。
6.一种晶圆在线检测装置,包括用于承载待检测晶圆的承载台,其特征在于,还包括:
用于确定检测区域在对应单元内的位置的第一检测装置;
与所述第一检测装置相连,用于存储根据各检测区域在对应单元内的位置确定所述检测区域在所述待检测晶圆上的分布信息的第一存储装置;
与所述第一存储装置相连,用于根据各所述检测区域在所述待检测晶圆上的分布,选取复数个待检测单元,所述复数个待检测单元的检测区域在晶圆上的分布是对称的,并将选取结果存储于所述第一存储装置的选取装置;
与所述第一存储装置相连,用于检测所述待检测晶圆上选取的所述复数个待检测单元的检测区域的测试装置;
与所述测试装置相连,用于存储由所述测试装置得到的各检测数据的第二存储装置。
7.如权利要求6所述的检测装置,其特征在于,所述选取装置按照各所述检测区域至所述待检测晶圆圆心的距离选取复数个待检测单元,令所述复数个待检测单元的所述检测区域至所述圆心的距离各不相同。
8.如权利要求6所述的检测装置,其特征在于:所述复数个待检测单元为9至13个。
9.如权利要求6所述的检测装置,其特征在于:所述检测数据包括薄膜生长厚度、研磨后薄膜厚度、刻蚀深度及光刻套刻精度中的任一种。
10.如权利要求6所述的检测装置,其特征在于:还包括分析装置,所述分析装置与第一存储装置及第二存储装置相连,用于对选取的所述复数个待检测单元的检测区域的位置信息及所述各检测数据进行分析,判断所述待检测晶圆的工艺情况是否符合要求。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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