[发明专利]刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种刻蚀停止层，其特征在于：所述刻蚀停止层至少包括与前 一材料层相接触的第一刻蚀停止层，以及位于所述第一刻蚀停止层之上 的第二刻蚀停止层；且所述第二刻蚀停止层的氮含量要高于所述第一刻 蚀停止层；所述第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层为氮化钛层，所述第 一刻蚀停止层中的氮含量低于钛含量，所述第一刻蚀停止层的厚度在10 至之间，所述第二刻蚀停止层的厚度在400至之间。

2.一种刻蚀停止层的形成方法，其特征在于，包括步骤：

将衬底放置于沉积室内；

利用含氮的第一气体对所述衬底进行第一沉积，形成与前一材料层 相接触的第一刻蚀停止层；

利用含氮的第二气体对所述衬底进行第二沉积，形成第二刻蚀停止 层，且所述第二气体内的氮含量高于所述第一气体内的氮含量；

取出所述衬底；

所述含氮的第一气体中氩气与氮气的流量比在4：1至7：1之间， 所述含氮的第二气体中氩气与氮气的流量比在1：7至1：4之间，所述 第一沉积时所用的功率在300至1000W之间，所述第二沉积时所用的 功率在800W至15KW之间。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述含氮的第一 气体及含氮的第二气体内还包括氩气。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，利用含氮的第二 气体对所述衬底进行第二沉积，分以下几步完成：

利用含氮的第二气体在800至1200W功率下对所述衬底进行沉积；

利用含氮的第二气体在1200至1800W功率下对所述衬底进行沉 积；

利用含氮的第二气体在10KW至15KW功率下对所述衬底进行沉 积。

5.一种具有通孔的半导体器件，包括衬底，所述衬底上具有前一 绝缘介质层，所述前一绝缘介质层内具有前一金属结构，所述前一绝缘 介质层及所述前一金属结构上具有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上具 有后一绝缘介质层，且所述后一绝缘介质层内已形成通孔开口，在所述 通孔开口内还具有后一金属结构，其特征在于：所述刻蚀停止层至少包 括第一刻蚀停止层，以及位于所述第一刻蚀停止层之上的第二刻蚀停止 层；且所述第二刻蚀停止层的氮含量要高于所述第一刻蚀停止层；所述 第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层为氮化钛层，所述第一刻蚀停止层中 的氮含量低于钛含量，所述第一刻蚀停止层的厚度在10至之间， 所述第二刻蚀停止层的厚度在400至之间。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述前一金属 结构包含金属铝。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述第二刻蚀 停止层的厚度大于所述第一刻蚀停止层。

8.一种具有通孔的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步 骤：

提供衬底，所述衬底上已形成前一绝缘介质层及前一金属结构；

将衬底放置于沉积室内；

利用含氮的第一气体对所述衬底进行第一沉积，形成第一刻蚀停止 层；

利用含氮的第二气体对所述衬底进行第二沉积，形成第二刻蚀停止 层，且所述第二气体内的氮含量高于所述第一气体内的氮含量；

取出所述衬底；

在所述第二刻蚀停止层上形成后一绝缘介质层；

在所述后一绝缘介质层内形成通孔开口；

在所述形成通孔开口的衬底上形成后一金属结构；

所述含氮的第一气体中氩气与氮气的流量比在4：1至7：1之间， 所述含氮的第二气体中氩气与氮气的流量比在1：7至1：4之间，所述 第一沉积时所用的功率在300至1000W之间，所述第二沉积时所用的 功率在800W至15KW之间。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：所述含氮的第一 气体及含氮的第二气体内还包括氩气。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，利用含氮的第二 气体对所述衬底进行第二沉积，分以下几步完成：

利用含氮的第二气体在800至1200W功率下对所述衬底进行沉积；

利用含氮的第二气体在1200至1800W功率下对所述衬底进行沉 积；

利用含氮的第二气体在10KW至15KW功率下对所述衬底进行沉 积。