[发明专利]半导体晶片表面的清洗方法有效
| 申请号： | 200710094568.4 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459047A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 高昀成;刘轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/00;B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 清洗 方法 | ||
1.一种半导体晶片表面的清洗方法，通过位于半导体晶片表面上方的喷头将清洗液喷洒到该半导体晶片表面，对所述半导体晶片表面进行清洗，其特征在于：
在喷洒清洗液时，所述喷头的喷嘴在半导体晶片表面上方做钟摆运动，且所述喷嘴在钟摆运动中经过半导体晶片表面中心上方；
在所述钟摆运动中，随着喷嘴远离所述半导体晶片表面的中心上方，所述清洗液的喷洒角度减小；
随着喷嘴接近所述半导体晶片表面的中心上方，所述清洗液的喷洒角度增大，且在所述喷嘴位于所述半导体晶片表面的中心上方时，喷洒方向垂直与所述半导体晶片表面，其中，所述清洗液的喷洒方向与所述半导体晶片表面的夹角为所述的喷洒角度。
2.如权利要求1所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：所述钟摆运动的平衡位置位于半导体晶片表面中心线上。
3.如权利要求2所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：在所述钟摆运动中，喷嘴喷洒清洗液的流量为固定值。
4.如权利要求1所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：
随着所述喷嘴远离所述半导体晶片表面的中心上方，喷洒清洗液的流量下降；
随着所述喷嘴接近所述半导体晶片表面的中心上方，喷洒清洗液的流量增大。
5.如权利要求1至4任一权利要求所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：在所述喷嘴运动至所述半导体晶片表面中心上方时，该喷嘴到所述半导体晶片表面中心的距离为10mm至25mm。
6.如权利要求1至4任一权利要求所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：所述喷嘴钟摆运动的振幅大于零且小于或等于所述半导体晶片表面半径的三分之二。
7.如权利要求1至4任一权利要求所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：在喷洒清洗液时，所述半导体晶片处于静止或旋转状态。
8.如权利要求1至4任一权利要求所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：在喷洒清洗液时，所述半导体晶片处于旋转状态，且旋转速率为100至4500rpm。
9.如权利要求1至4任一权利要求所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于：所述清洗液为去离子水。
10.如权利要求1所述的半导体晶片表面的清洗方法，其特征在于，进一步包括：停止喷洒清洗液，并继续旋转所述半导体晶片，将所述半导体晶片表面的清洗液甩干。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
