[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其具备：

半导体衬底(1)，具有贯通两面而形成的贯通孔；

电极焊盘(3)，在所述半导体衬底(1)的第一面上设置成覆盖贯通孔；

外部连接用端子(7)，设置在所述半导体衬底(1)的第二面上；

导电布线(6)，通过所述贯通孔并用于使电极焊盘(3)与外部连接用端子(7)导通；

第一绝缘膜(2)，设置在半导体衬底(1)的第一面上，使得所述电极焊盘(3)与所述半导体衬底(1)绝缘；以及

第二绝缘膜(5)，设置在半导体衬底(1)的第二面上和贯通孔内部的表面上，使得所述导电布线(6)与所述半导体衬底(1)绝缘，

所述导电布线(6)经连接用开口与电极焊盘(3)连接，该连接用开口形成在从垂直于所述半导体衬底(1)的第一面的方向看、设置成与所述贯通孔底面至少部分重叠的第一绝缘膜(2)和第二绝缘膜(5)的至少一方中，其特征在于：

所述连接用开口形成为不到达贯通孔的底面的外周。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第二绝缘膜(5)与所述半导体衬底(1)和所述第一绝缘膜(2)之间形成有第三绝缘膜(13)，

在该第三绝缘膜(13)的、从垂直于所述半导体衬底(1)的第一面的方向看与所述连接用开口重叠的区域中，形成有开口。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第三绝缘膜(13)是Si氧化膜、含有硼或磷的氧化膜、Si氧氮化膜、Si氮化膜、这些膜的层叠膜或由电镀材料形成的膜、或感光性树脂膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘膜(5)是Si氧化膜、含有硼或磷的氧化膜、Si氧氮化膜、Si氮化膜、这些膜的层叠膜或由电镀材料形成的膜、或感光性树脂膜。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述感光性树脂膜是由聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂或硅树脂构成的膜。

6.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述电镀材料是聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚胺或聚羧酸树脂。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘膜(2)由Si氧化膜、含有硼或磷的氧化膜、Si氧氮化膜、Si氮化膜、或这些膜的层叠膜形成。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体衬底(1)的第一面侧设置有加强半导体衬底(1)的加强板(22)。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体衬底(1)与所述加强板(22)之间配置有用于接受光的像素区域(23)。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述加强板(22)使光透过。

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

在半导体衬底(1)的第一面上隔着第一绝缘膜(2)形成电极焊盘(3)；

在所述半导体衬底(1)中设置贯通孔，该贯通孔从位于与所述第一面相反侧的、所述半导体衬底(1)的第二面到达所述第一面侧的电极焊盘(3)；

在形成所述贯通孔的侧面和底面上以及所述半导体衬底(1)的第二面上，形成用于使导电布线(6)与半导体衬底(1)之间绝缘的第二绝缘膜(5)；

去除形成为与所述贯通孔的底面重叠的第二绝缘膜(5)，以不到达贯通孔的底面的外周的方式形成到达所述电极焊盘(3)的连接用开口；以及

形成电连接所述电极焊盘(3)与外部连接用端子(7)的导电布线(6)。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

形成所述连接用开口的工序具备如下工序：

在形成于所述半导体衬底(1)的第二面上的第二绝缘膜(5)上，以覆盖所述贯通孔的方式设置薄膜状抗蚀剂膜；

在所述薄膜状抗蚀剂膜的、从垂直于所述半导体衬底(1)的第一面的方向看、与所述贯通孔的底面重叠的区域的内侧，形成开口，设置蚀刻掩模；以及

使用所述蚀刻掩模，利用各向异性干蚀刻来去除形成为与贯通孔的底面重叠的第二绝缘膜(5)，以不到达贯通孔的底面的外周的方式形成到达所述电极焊盘(3)的连接用开口。