[发明专利]电极及其制造方法,以及具有该电极的半导体器件无效
申请号: | 200710096149.4 | 申请日: | 2007-04-13 |
公开(公告)号: | CN101060087A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 山口昌浩;中村博文 | 申请(专利权)人: | 尔必达存储器株式会社;NEC凸版电子基板株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498;H01L25/00;H01L23/488 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谷惠敏;钟强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 及其 制造 方法 以及 具有 半导体器件 | ||
1.一种电极制造方法,包括以下步骤:从其背面刻蚀金属板,由此形成金属柱,该金属柱具有由所述金属板的厚度决定的高度。
2.根据权利要求1的电极制造方法,在形成所述金属柱的步骤之前,还包括以下步骤:在所述金属板的表面上形成布线板和在所述布线板上安装半导体芯片并对其进行树脂密封。
3.根据权利要求2的电极制造方法,其中形成所述布线板的步骤包括以下若干步骤:通过在所述金属板的表面上涂敷抗电镀剂、对所述抗电镀剂进行构图、然后电镀从而形成焊盘,形成用于保护所述焊盘的绝缘树脂层,以及在所述绝缘树脂层中形成穿通孔以由此形成连接到所述焊盘的电极。
4.根据权利要求3的电极制造方法,其中所述焊盘通过依次电镀镍、金、镍和铜来形成。
5.根据权利要求3的电极制造方法,其中通过镀铜形成所述电极。
6.根据权利要求1的电极制造方法,其中形成所述金属柱的步骤包括:在所述金属板的背面上涂敷抗蚀剂,对所述抗蚀剂进行构图以提供用于保留与焊盘相对应的所述金属板的区域的图形,以及利用所述图形刻蚀所述金属板。
7.一种通过根据权利要求1的电极制造方法制造的电极。
8.根据权利要求7的电极,其中所述金属柱由包含铜作为主要成分的金属板形成。
9.一种半导体器件,包括通过根据权利要求1的电极制造方法制造的电极。
10.一种根据权利要求9的半导体器件,其中具有所述金属柱的封装被用作上封装,并且所述金属柱和下封装的焊盘通过焊接连接在一起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造