[发明专利]液晶显示面板、液晶显示器及其驱动方法无效
申请号: | 200710096167.2 | 申请日: | 2007-04-18 |
公开(公告)号: | CN101290411A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 陈建宏;谢志勇 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G09G3/36;G09G3/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 吕晓章;李晓舒 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 液晶显示器 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示面板、液晶显示器及其驱动方法,且特别涉及一种低色偏的液晶显示面板、液晶显示器及其驱动方法。
背景技术
由于不同角度的入射光在液晶层中所产生的位相差值(Retardation)不同,因此,当观察角度不同时,光所受到的偏折系数不相同,导致穿透率也不一样。所以,不同视角会造成所显示的光的亮度不同。而当不同色光(例如红色光、绿色光及蓝色光)在正视与侧视时各以不同亮度的例混色之后,则会产生正视与侧视所显示的颜色不同的色偏现象(Color Shift)。
为了改善液晶显示器的色偏现象,传统做法是将一个像素分为两个子像素,各个子像素均由一薄膜晶体管所控制,因此可以分别提供略微不同的像素电压至同一像素的两个子像素,以改善色偏现象。
传统像素的等效电路图
请参照图1,其示出了传统像素的等效电路图。传统像素110包括第一子像素112、第二子像素114、辅助电极M1及薄膜晶体管TFT3。寄生电容CGD3形成于薄膜晶体管TFT3的栅极与漏极之间,且薄膜晶体管TFT3的漏极耦接至辅助电极M1。辅助电极M1与共同电极CE之间形成辅助电容CS,且共同电极CE上的电压电平是Vcom,而辅助电容CS两端的电压差是VCS。
第一子像素112更包括薄膜晶体管TFT1及第一像素电极IT01。薄膜晶体管TFT1的漏极端耦接至第一像素电极IT01,且第一像素电极IT01与共同电极CE之间形成第一液晶电容CLC1及第一储存电容CST1,而寄生电容CGD1形成于薄膜晶体管TFT1的栅极与漏极之间。
第二子像素114更包括薄膜晶体管TFT2及第二像素电极IT02。薄膜晶体管TFT2的漏极端耦接至第二像素电极IT02,且第二像素电极IT02与共同电极CE之间形成第二液晶电容CLC2及第二储存电容CST2,而寄生电容CGD2形成于薄膜晶体管TFT2的栅极与漏极之间。
薄膜晶体管TFT1及TFT2的源极耦接至数据线120,且薄膜晶体管TFT1及TFT2的栅极耦接至第一扫描线130(n),而薄膜晶体管TFT2的漏极耦接薄膜晶体管TFT3的源极。
薄膜晶体管TFT 3的栅极耦接至第二扫描线130(n+1),第二扫描线130(n+1)为与第一扫描线130(n)相邻的下一条扫描线。当薄膜晶体管TFT3被下一个扫描信号S(n+1)使能后,第二液晶电容CLC2两端的电压差VLC2将小于第一液晶电容CLC1两端的电压差VLC1,使得第二子像素114的穿透率低于第一子像素112,而达到低色偏(Low Color Shift)的效果。
传统像素的信号波形图
请参照图2,其示出了为传统像素的信号波形图。首先在时间t1至t2之间,VLC1及VLC2分别因电容充电效应而缓步改变为(V1-Vcom)。接着在时间t2时,VLC1及VLC2分别因寄生电容CGD1及CGD2所造成的馈穿效应(Feed-Through Effect)而减少为(V2-Vcom)。跟着在时间t3时,VLC2将因辅助电容CS产生电荷分享(ChargeSharing)效应而减少为(V3-Vcom)。然后在时间t4时,VLC2将因寄生电容CGD3所造成的馈穿效应而将改变为(V4-Vcom)。
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