[发明专利]真空紫外线辐射激发发光装置无效

专利信息
申请号: 200710096182.7 申请日: 2001-09-27
公开(公告)号: CN101200637A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 户田健司;佐藤峰夫;大野庆司;宫崎进;武田隆史 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;C09K11/77
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 庞立志;李平英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 真空 紫外线 辐射 激发 发光 装置
【说明书】:

本申请是申请日为2001年9月27日、申请号为01137167.6发明名称为“用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及适用于真空紫外线辐射激发发光装置诸如等离子体显示板(下文称为“PDPs”)和稀有气体灯的荧光材料。

背景技术

当用真空紫外线辐射等激发时发光的荧光材料包括,例如BaMgAl10O17:Eu,其包含Ba、Mg、Al、O和作为真空紫外线辐射激发发光装置的蓝荧光材料的活化剂(Eu),和Zn2SiO4:Mn,其包含Zn、Si、O和作为绿荧光材料的活化剂(Mn)。还有,例如(Y,Gd)BO3:Eu,其包含Y、Gd、B、O和活化剂(Eu),已知其作为红色荧光材料。这种荧光材料还用在稀有气体灯中。然而,用于真空紫外线辐射激发发光装置的这些现有技术荧光材料最好能显示进一步增强的亮度。

在真空紫外线辐射激发发光装置诸如PDPs和稀有气体灯中,在稀有气体产生等离子体时引起放电,然后产生真空紫外线辐射。现有技术的荧光材料涉及的问题是由于它们暴露于等离子体,其亮度降低。因此,需要一种用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料,其亮度不会因暴露于等离子体而大大降低。

美国专利5839718公开了一种硅酸盐荧光材料,其包含由通式m(Sr1-aM1a)O·n(Mg1-bM2b)O·2(Si1-cGec)O2:EuxLny表示的化合物,其中M1是Ba,M2是选自Be、Zn和Cd的至少一种元素,Ln是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、B、Al、Ga、In、Tl、Sb、Bi、As、P、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Cr和Mn的至少一种元素。所公开的这种硅酸盐荧光材料的具体实例包括Sr1.995MgSi2O7:Eu0.005,Dy0.025,Cl0.025和Sr0.445Ba1.55MgSi2O7:Eu0.005,Dy0.025,Cl0.025。这些荧光材料作为在黑暗环境中显示或用于类似目的的光蓄电池。“第六次国际科学和技术显示磷光体会议的补充概要”,第21-24页,公开了CaMgSi2O6:Eu作为真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料。

包含硅酸盐的这种荧光材料仍具有这样的问题,它们的亮度不足和由于暴露于等离子体,亮度降低。

本发明目的是提供一种用于真空紫外线辐射激发发光装置的荧光材料,其能发出较高亮度的光,和在暴露于等离子体后,亮度有较小降低。

发明内容

在这种情况下,本发明人进行了深入和持续的研究,探寻解决上述问题,结果发现在用于真空紫外线辐射激发发光装置的硅酸盐或锗酸盐荧光材料中,具有特定组成的荧光材料,其包含由通式:mM1O·nM2O·2M3O2表示的化合物,其中M1是选自Ca、Sr和Ba的至少一种金属,M2是选自Mg和Zn的至少一种金属,M3是选自Si和Ge的至少一种金属,和m和n分别满足0.5≤m≤3.5和0.5≤n≤2.5,条件是当m=n=1时,M1是选自Ca、Sr和Ba的至少两种金属,或选自Sr和Ba的一种金属;和选自Eu和Mn的至少一种金属作为活化剂,其发出较高亮度的光和在暴露于等离子体后,亮度有较小降低。因此,实现了本发明。

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