[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；

第1贯通电极，其具有：以从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的方式、以所述金属凸块作为挡块形成的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；

半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及

布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具备：

追加的绝缘树脂，其形成为覆盖所述半导体芯片和所述第1贯通电极；

第2贯通电极，其形成为贯通所述追加的绝缘树脂，并且与在所述半导体基板上形成的电极电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，具备第3贯通电极，其形成为贯通所述追加的绝缘树脂，并且与在所述半导体芯片上形成的电极电连接。

4.一种半导体器件，其特征在于，具备：

表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；

贯通电极，其具有：以从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的方式、以所述金属凸块作为挡块形成的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在表面侧形成有电极焊盘的半导体晶片上，以形成于所述电极焊盘上的金属凸块作为挡块形成从所述半导体晶片的背面侧到达所述金属凸块的第1贯通孔的工序；

从所述半导体晶片的背面侧向所述第1贯通孔内填充绝缘树脂的工序；

形成从所述半导体晶片的背面侧在所述绝缘树脂内、到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块、并且直径小于所述第1贯通孔的第2贯通孔的工序；

在所述第2贯通孔内配设与所述电极焊盘接触并且露出于所述半导体晶片的背面侧的导体层从而形成第1贯通电极的工序；

在所述半导体晶片的背面侧，在该半导体芯片的背面和所述半导体晶片的背面相对的方向安装半导体芯片的工序；以及

将所述第1贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接的布线工序。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第1贯通孔利用激光加工形成，所述电极焊盘发挥所述激光加工时的挡块的作用。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属凸块的厚度为3μm～20μm。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成所述第1贯通孔后对加工面进行清洗处理的工序。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在形成所述第1贯通孔之前，在所述半导体晶片的所述背面形成保护膜的工序；以及

在形成所述第1贯通孔后去除所述保护膜的工序。

10.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，利用真空中层积或滚涂实施所述绝缘树脂对所述第1贯通孔的填充。

11.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第2贯通孔利用激光加工形成。

12.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述布线工序包括：

以覆盖所述半导体芯片和所述第1贯通电极的方式形成追加的绝缘树脂的工序；

在所述追加的绝缘树脂的相当于在所述半导体晶片上形成的晶片电极的位置形成第3贯通孔的工序；

形成填充所述第3贯通孔并与所述晶片电极电连接的第2贯通电极的工序。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述布线工序包括：

在所述追加的绝缘树脂的相当于在所述半导体芯片上形成的芯片电极的位置形成第4贯通孔的工序；以及

形成填充所述第4贯通孔并与所述芯片电极电连接的第3贯通电极的工序。