[发明专利]动态写入策略修正方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及写入策略修正，特别是有关于动态写入策略修正方法及装置。

背景技术

在光盘上记录数据的写入策略包括多种参数，例如，后端脉冲间隔、前端脉冲比率、后端脉冲比率。然而，并不是所有的参数都是最佳的。请参考图1A、图1B以及图1C。图1A、图1B以及图1C显示了具有不同写入策略参数值的光盘上所记录的不同凹坑(pits)。光盘上记录的凹坑在图1A、图1B以及图1C内分别为短、长以及移位，并具有非最佳的写入策略参数。这些非最佳的写入策略参数导致了记录品质的低劣。

发明内容

本发明提供了一种解决以上技术问题的动态写入策略修正方法及装置。

根据本发明实施例的一种动态写入策略修正方法，首先，根据具有至少三参数的写入策略在一光盘上写入多个数据，测量上述数据的至少两品质指数，然后，储存包括上述参数及对应的品质指数的结果。接下来，判断是否达到终止条件；如果未达到，则改变参数并重复上述步骤；如果达到，则分析上述已储存的结果并且输出具有至少三最佳参数的最佳写入策略。

根据本发明另一实施例的一种动态写入策略修正装置。动态写入策略修正装置包括一读取头、一射频信号处理电路、一调整控制电路，以及一结果处理单元。读取头是根据具有至少三参数的写入策略将多个数据写在一光盘上。射频信号处理电路是测量写在光盘上的数据的至少两品质指数。调整控制电路是储存包括上述参数及对应的品质指数的结果，并且判断是否达到终止条件。如果未达到终止条件，调整控制电路则改变参数以产生下一写入策略，并将下一写入策略传送至读取头；而当上述终止条件达到时，调整控制电路则输出上述结果。结果处理单元从调整控制电路接收上述结果，分析已储存的结果，并且根据上述分析输出具有至少三最佳参数的最佳写入策略。

本发明提供的动态写入策略修正方法及装置，通过测量根据即时写入策略写在光盘上的测试数据的至少两品质指数，并储存写入策略参数及对应的品质指数，然后判断是否达到终止条件，并根据判断结果进行相应处理，以得到最佳参数的最佳写入策略，可以显著提高记录品质。

附图说明

图1A、图1B以及图1C是显示一具有各种非最佳写入策略参数值的光盘上所记录的不同凹坑。

图2是后端脉冲间隔Td的动态调整示意图。

图3是前端脉冲比率及后端脉冲比率的动态调整示意图。

图4显示颤动值与后端脉冲间隔关系的示意图。

图5显示颤动值与前端脉冲比率关系的示意图。

图6显示颤动值与后端脉冲比率关系的示意图。

图7显示依据本发明动态写入策略修正方法一实施例的流程图。

图8显示依据本发明动态写入策略修正方法另一实施例的流程图。

图9显示依据本发明光盘写入系统的一实施例的方框图。

具体实施方式

以下将对本发明进行详细的描述。请同时参考图2及图3。图2是一后端脉冲间隔Td的动态调整示意图，以及图3是一前端脉冲比率Df(Df＝T1/T2)及一后端脉冲比率Db(Db＝T3/T4)的动态调整示意图。最初，调整后端脉冲比率Db以记录具有精确长度的凹坑。举例而言，假设最佳的凹坑长度为6T，则光盘上所记录的凹坑将会精确地等于6T。接下来，调整前端脉冲比率Df及后端脉冲比率Db，以精确地产生所记录的凹坑的前端及后端位置。换言之，一最佳凹坑的起点地址及终点地址精确地等于所记录凹坑的地址。请注意，凹坑及其长度的描述仅作为一范例，并不作为本发明的限制。换言之，本发明也可采用其他不同的记号，例如，平面(land)，其长度用以限制前面及后面的凹坑。在以下的描述中，将使用凹坑及其长度作为范例。以下将提供这些参数调整的详细叙述。

请先参考图2。写入策略使用三个不同的后端脉冲间隔Td1、Td2以及Td3以在光盘上记录三个对应的凹坑Pit_1、Pit_2以及Pit_3。通过读取并分析凹坑Pit_1、Pit_2以及Pit_3的射频信号，可以判定一最佳的后端脉冲间隔Td为上述后端脉冲间隔Td3。此外，如果所记录的凹坑长度等于nT(其中n是一正整数)，则Td的调整范围的偏移量会介于(n-2)T以及nT之间。相似地，图3所示的最佳前端及后端脉冲比率Df及Db，最终是通过使用不同的最佳脉冲比率值来记录凹坑、读取凹坑的对应射频信号，以及找出其中具有最小颤动值(jitter)之一而判定。以下将提供在不同传输速率(transfer rate)下写入策略参数变动的详细描述。