[发明专利]光刻设备和制造装置的方法

权利要求书

1.一种光刻设备，包括：

用于将衬底曝光于穿过浸渍液体的辐射束的浸溃光刻曝光设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸渍液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸渍液体pH值的±2以内。

2.权利要求1的光刻设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸渍液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸溃液体pH值的±1.5以内，

3.权利要求1的光刻设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸渍液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸渍液体pH值的±1.2以内。

4.权利要求1的光刻设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸渍液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸渍液体pH值的±1.0以内，

5.权利要求1的光刻设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸溃液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸溃液体pH值的±0.8以内。

6.权利要求1的光刻设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸渍液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸渍液体pH值的±0.5以内。

7.权利要求1的光刻设备，其中所述衬底的表面和所述浸溃液体为碱。

8.权利要求1的光刻设备，其中所述衬底的表面在零ζ电势处具有小于7的pH值且所述浸渍液体为酸。

9.权利要求1-8中的任一项的光刻设备，其中所述浸渍液体具有使表面上所述浸渍液体的静态接触角θ如下述方程所计算的pH值：

(1+cos(θ))·γL=2(γs_LW·γL_LW+γs_pos·γL_neg+γs_neg·γL_pos)]]>

其中γ为表面能，LW为范德瓦尔斯力，pos为酸性成分，neg为碱性成分，S为衬底，L代表浸渍液体，静态接触角θ为通过改变pH值可得到的最大值的20°以内。

10.权利要求9的光刻设备，其中所述计算静态接触角为最大值的15°以内。

11.权利要求9的光刻设备，其中所述计算静态接触角为最大值的10°以内。

12.权利要求9的光刻设备，其中所述计算静态接触角为最大值的8°以内。

13.权利要求9的光刻设备，其中所述计算静态接触角为最大值的5°以内。

14.权利要求9的光刻设备，其中所述计算静态接触角为可获得的最大值。