[发明专利]ITO粉末及制造方法、导电ITO膜的涂层材料、透明导电膜有效

专利信息
申请号: 200710096573.9 申请日: 2007-04-16
公开(公告)号: CN101134597A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 田上幸治;绀野慎一;樋之津崇 申请(专利权)人: 同和电子科技有限公司
主分类号: C01G19/00 分类号: C01G19/00;C01G15/00;H01B5/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: ito 粉末 制造 方法 导电 涂层 材料 透明
【权利要求书】:

1.一种ITO粉末,吸附0.01重量%以上至2.0重量%以下的水并包含长轴长度为1000nm以下短轴长度为100nm以下的ITO颗粒,其中:

所述长轴/短轴的值,即所述长轴和所述短轴的比值大于1且小于或等于10。

2.权利要求1的ITO粉末,其中所述长轴的长度为700nm以下至100nm以上,且所述短轴的长度为100nm以下至30nm以上。

3.权利要求1或2的ITO粉末,其中所述吸附水的化学吸附水含量为0.01重量%以上至1.0重量%以下。

4.权利要求1至3任意一项的ITO粉末,其中所述粉末的b*颜色值在L*a*b*颜色空间中小于0至-15以上。

5.一种制造ITO粉末的方法,包括步骤:

在惰性气体和还原气体的混合气氛中烘焙含锡的铟氢氧化物,并获得烘焙的含锡的铟材料;以及

在等于或低于所述烘焙温度的温度下将所述烘焙的含锡的铟材料与含水的气体接触预定时间,使得水被吸附。

6.一种制造ITO粉末的方法,包括步骤:

在惰性气体和还原气体的混合气氛中烘焙含锡的铟氢氧化物,并获得烘焙的含锡的铟氢氧化物材料;以及

在0℃以上至100℃以下的温度下将所述烘焙的含锡的铟氢氧化物材料与含水的惰性气体与/或含水的还原气体接触预定时间,使得水被吸附;以及

将其上已经吸附了水的所述烘焙的含锡的铟氢氧化物材料暴露于环境空气。

7.一种用于导电ITO膜的涂层,其中使用了权利要求1至4任意一项的ITO粉末。

8.一种使用权利要求7的用于所述导电ITO膜的涂层材料制造的透明导电膜。

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