[发明专利]离子发生装置有效
申请号: | 200710096746.7 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101202423A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 朴来垠;温铉基;权埈铉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01T23/00 | 分类号: | H01T23/00;A61L2/14;A61L9/22;F24F1/00;F24F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 发生 装置 | ||
1.一种离子发生装置,包括:
发生阳离子的阳离子发生部;
发生阴离子的阴离子发生部;
配置有上述阳离子发生部和上述阴离子发生部的箱体;和
流速缓和部,其配置于上述箱体,用于缓和从上述阳离子发生部向阴离子发生部的空气的流动速度。
2.根据权利要求1所述的离子发生装置,其特征在于,
上述阳离子发生部包括陶瓷板、以及配置于上述陶瓷板内部的感应电极和放电电极。
3.根据权利要求1所述的离子发生装置,其特征在于,
上述阴离子发生部包括针状电极。
4.根据权利要求1所述的离子发生装置,其特征在于,
上述流速缓和部由凹部构成,该凹部配置于上述箱体的上部,并且插入配置有上述阳离子发生部。
5.根据权利要求4所述的离子发生装置,其特征在于,
上述箱体的上表面的高度形成为比配置于上述凹部的上述阳离子发生部的上表面的高度高。
6.根据权利要求4所述的离子发生装置,其特征在于,
上述箱体的上表面与配置于上述凹部的上述阳离子发生部的上面的高度之差为1mm~5mm。
7.根据权利要求1所述的离子发生装置,其特征在于,
上述流速缓和部由凸出部构成,该凸出部形成于上述阳离子发生部的前方,并且在上述箱体的上面向上部凸出。
8.根据权利要求7所述的离子发生装置,其特征在于,
上述凸出部形成为:配置于箱体端部与上述阳离子发生部之间,对经过上述箱体端部而向上述阳离子发生部的空气的流速造成影响。
9.根据权利要求7所述的离子发生装置,其特征在于,
上述凸出部的高度以上述箱体的上面为基准具有2mm~10mm的高度。
10.一种离子发生装置,包括:
发生阳离子的阳离子发生部;
发生阴离子的阴离子发生部;
设置有上述阳离子发生部和上述阴离子发生部的箱体;和
流速缓和部,其配置于上述阳离子发生部周围,通过使流过上述阳离子发生部的空气的流速降低,来缓和阳离子的移动速度,从而增加阴离子与阳离子的结合度。
11.根据权利要求10所述的离子发生装置,其特征在于,
上述流速缓和部由凹部构成,该凹部配置于箱体的上部,并且插入有上述阳离子发生部,
插入于上述凹部的阳离子发生部的上面的高度形成为比上述箱体的上面的高度低,从而对经过上述阳离子发生部的上面的空气的流速进行缓和。
12.根据权利要求10所述的离子发生装置,其特征在于,
上述流速缓和部由凸出部构成,该凸出部配置于上述箱体的上部,并且在上述阳离子发生部的前方向上部凸出,
配置于上述凸出部的上面的流路的截面积形成为比配置于上述阳离子发生部的上面的流路的截面积窄,从而通过了上述凸出部的上面的空气的流速到达上述阳离子发生部的上面就会降低。
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