[发明专利]钟控反相器、“与非”门、“或非”门和移位寄存器

权利要求书

1.一种移位寄存器，包括：

包括串联的第一晶体管和第二晶体管的第一补偿电路；

包括串联的第三晶体管和第四晶体管的第一钟控反相器，其中，所述第三晶体管的栅极连接到所述第一和第二晶体管的漏极；

包括彼此串联的第五、第六、第七和第八晶体管的第二钟控反相器；

第一反相器，所述第一反相器的输入端连接到所述第三、第四、第六和第七晶体管的漏极，并且所述第一反相器的输出端连接到所述第六和第七晶体管的栅极；

包括串联的第九晶体管和第十晶体管的第二补偿电路，其中所述第四晶体管的栅极连接到所述第九和第十晶体管的漏极；以及

第二反相器和与所述第二反相器串联的第三反相器，其中所述第二反相器的输入端连接到所述第九与第十晶体管的栅极，并且其中所述第三反相器的输出端连接到所述第一与第二晶体管的栅极；

其中：

所述第二、第三与第五晶体管的源极连接到第一电源；

所述第四、第八与第十晶体管的源极连接到第二电源；

在第(n-1)级生成的第一信号输入到第九与第十晶体管的栅极以及设置在第n级的所述第二反相器的输入端；

在第(n-2)级生成的第二信号输入到设置在第n级的所述第九晶体管的源极；

第三信号CK输入到所述第一晶体管的源极与所述第八晶体管的栅极；

第四信号CKB输入到所述第五晶体管的栅极；以及

第五信号从所述第一反相器的输出端以及所述第六与第七晶体管的栅极输出；以及

所述第二、第三、第五、第六和第九晶体管是P型晶体管，而所述第一、第四、第七、第八和第十晶体管是N型晶体管。

2.一种移位寄存器，包括：

包括串联的第一晶体管和第二晶体管的第一补偿电路；

包括串联的第三晶体管和第四晶体管的第一钟控反相器，其中，所述第三晶体管的栅极连接到所述第一和第二晶体管的漏极；

包括彼此串联的第五、第六、第七和第八晶体管的第二钟控反相器；

第一反相器，所述第一反相器的输入端连接到所述第三、第四、第六和第七晶体管的漏极，并且所述第一反相器的输出端连接到所述第六和第七晶体管的栅极；

包括串联的第九晶体管和第十晶体管的第二补偿电路，其中所述第四晶体管的栅极连接到所述第九和第十晶体管的漏极；以及

第二反相器和与所述第二反相器串联的第三反相器，其中所述第二反相器的输入端连接到所述第一与第二晶体管的栅极，并且其中所述第三反相器的输出端连接到所述第九与第十晶体管的栅极；

其中：

所述第二、第三与第八晶体管的源极连接到第一电源；

所述第四、第五与第十晶体管的源极连接到第二电源；

在第(n-1)级生成的第一信号输入到第一与第二晶体管的栅极以及设置在第n级的所述第二反相器的输入端；

在第(n-2)级生成的第二信号输入到设置在第n级的所述第一晶体管的源极；

第三信号CK输入到所述第九晶体管的源极与所述第五晶体管的栅极；

第四信号CKB输入到所述第八晶体管的栅极；以及

第五信号从所述第一反相器的输出端以及所述第六与第七晶体管的栅极输出；以及

所述第二、第三、第五、第六和第九晶体管是P型晶体管，而所述第一、第四、第七、第八和第十晶体管是N型晶体管。

3.如权利要求1或2所述的移位寄存器，其中所述第一电源是高电位电源，并且其中所述第二电源是低电位电源。