[发明专利]存储元件和存储器有效
| 申请号： | 200710096904.9 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101060160A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 存储器 | ||
1.一种存储元件，包括：
存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息，其中 通过中间层对所述存储层设置磁化固定层，
所述中间层由绝缘体形成，
自旋极化电子以堆叠方向注入以改变所述存储层的磁化 方向，从而将信息记录在所述存储层中，以及
微细氧化物分层分布在形成所述存储层的铁磁层的整个 或部分中，
其中，根据存储层的总体积，氧化物的体积比为大于等 于5％至小于等于40％，以及
其中，所述氧化物的簇每个均具有1nm到3nm的尺寸。
2.根据权利要求1所述的存储元件，其中
形成所述存储层的所述铁磁层具有200[Oe]或更大的抗 磁力。
3.根据权利要求1所述的存储元件，其中
所述微细氧化物是从以下各物中选出的氧化物：氧化硅、 氧化铝、氧化镁、氧化钽、氧化钆、氧化钛、氧化硼、氧化锌、 氧化镓、氧化钇、氧化锆、氧化铪、及其合成混合物。
4.一种存储器，包括：
存储元件，具有基于磁性材料的磁化状态来保持信息的 存储层；以及
彼此相交的两种配线，其中
所述存储元件具有通过中间层对所述存储层设置磁化固 定层的结构；
所述中间层由绝缘体形成；
自旋极化电子以堆叠方向注入以改变所述存储层的磁化 方向，从而将信息记录在所述存储层中，以及
微细氧化物分层分布在形成所述存储层的铁磁层的整个 或部分中，
所述存储元件置于所述两种配线的交叉点附近并且置于 所述两种配线之间，以及
沿所述堆叠方向的电流通过所述两种配线流入所述存储 元件中，
其中，根据存储层的总体积，氧化物的体积比为大于等 于5％至小于等于40％，以及
其中，所述氧化物的簇每个均具有1nm到3nm的尺寸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710096904.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纳米光能粒子催化消烟除尘装置
- 下一篇：热轧带肋钢筋矫直方法
