[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710096913.8 申请日: 2007-04-16
公开(公告)号: CN101060157A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 韩庚泽;吕寅泰;咸宪柱;宋昌虎;韩盛渊;罗允晟;金大渊;安皓植;朴英衫 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;吴贵明
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装件,包括:

第一和第二引线框架,由热和电导体制成,每个所述引线框架均包括平坦底座以及从所述底座沿相反方向和朝上方向延伸的延伸部,所述第二引线框架具有比所述第一框架小的宽度,且设置成与所述第一框架隔开预定的间隔;

封装件主体,由树脂制成,且构造成环绕所述第一和第二引线框架的所述延伸部,以固定所述第一和第二引线框架,同时露出所述第一和第二引线框架的下侧表面;

发光二极管芯片,设置在所述第一引线框架的所述底座的上表面上,且电连接于所述第一和第二引线框架的所述底座;以及

透明的封装材料,用于封装所述发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述延伸部的端部位于所述封装件主体的侧部。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述第一引线框架的所述延伸部中的至少一个延伸到所述封装件主体之外,以形成接线端。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述封装件主体具有形成在所述发光二极管芯片周围的凹部,并且突出部以预定宽度形成在所述凹部的上端上。

5.根据权利要求4所述的发光二极管封装件,其中,所述透明封装材料的一部分填充所述凹部,而所述透明封装材料的另一部分以预定曲率突出于所述突出部的上方。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述第一和第二引线框架的所述底座的所述下侧表面与所述封装件主体的下侧表面共面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述第一和第二引线框架设置成彼此平行。

8.一种制造发光二极管封装件的方法,包括以下步骤:

将预定厚度的热和电导体制成的板加工成框架结构,所述框架结构包括第一和第二引线框架部,每个所述引线框架部均包括平坦底座以及从所述底座沿相反方向延伸的延伸部,所述第二引线框架部以比所述第一引线框架部小的宽度形成,且设置成与所述第一引线框架部隔开预定的间隔;

以如下方式折弯所述第一和第二引线框架部的所述延伸部,即,使得所述底座定位成比所述延伸部低,从而所述延伸部从所述底座沿朝上方向延伸;

注塑模制树脂,以形成封装件主体,所述封装件主体环绕邻近于所述底座的所述第一和第二引线框架部的延伸部,并从而以如下方式固定所述第一和第二引线框架部,即,使得所述第一和第二引线框架部的所述底座的上表面的至少一部分和底表面从所述封装件主体中露出,并且所述第一和第二引线框架部的所述延伸部的远端延伸到所述封装件主体的侧部之外;

将发光二极管芯片设置在所述第一引线框架部的所述底座的所述露出上表面上,并将所述发光二极管芯片与所述第一和第二引线框架部电连接;

用透明封装材料封装所述发光二极管芯片;以及

切割所述框架结构的所述延伸部,以获得发光二极管封装件。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述形成封装件主体的步骤包括在所述发光二极管芯片周围形成凹部以及在所述凹部的上端上以预定宽度形成突出部。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述封装步骤包括以如下方式分配所述透明封装材料,即,使得所述透明封装材料的一部分填充所述凹部,而所述透明封装材料的另一部分以预定曲率突出于所述突出部的上方。

11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述形成封装件主体的步骤包括以如下方式形成所述封装件主体,即,使得所述第一和第二引线框架的所述底座的所述下侧表面与所述封装件主体的下侧表面共面。

12.根据权利要求8所述的方法,其中,所述形成框架结构的步骤包括以彼此平行的方式形成所述第一和第二引线框架部。

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