[发明专利]在半导体工艺中形成亚光刻开口的方法

权利要求书

1.一种在半导体工艺中在第一材料第一层中形成亚光刻开口的方法，所述方法包括：

在所述第一层上淀积第一牺牲材料牺牲层；

在所述牺牲层上产生光刻开口，所述光刻开口位于所需亚光刻开口位置上方；

去除所述光刻开口中的所述第一牺牲材料；

将所述第一牺牲材料转化为第二牺牲材料，所述第二牺牲材料相对于第一牺牲材料的横向扩展将所述光刻开口的尺寸减小到亚光刻开口；和

使用所述第二牺牲材料作为掩模层蚀刻所述第一层，以在所述第一层中形成所述亚光刻开口。

2.权利要求1的方法，其中所述产生步骤还包括：

在所述牺牲层上淀积光刻胶层；

曝光所述光刻胶层以在所需亚光刻开口位置上形成包括潜在光刻开口的潜像；和

去除在所述光刻开口中的所述光刻胶，由此暴露所述牺牲层。

3.权利要求2的方法，还包括：

在所述去除步骤之后和在所述转化步骤之前去除所有的所述光刻胶。

4.权利要求3的方法，其中所述第一牺牲材料是硅。

5.权利要求3的方法，其中所述第一牺牲材料是多晶硅或非晶硅。

6.权利要求4或5的方法，其中所述转化步骤包括氧化所述第一牺牲材料以产生氧化硅和/或二氧化硅。

7.权利要求6的方法，其中所述第一层是包括多晶硅层和氮化硅层的复合层，所述氮化硅层直接邻近所述牺牲层。