[发明专利]薄膜型电子源

权利要求书

1.一种薄膜型电子源，其特征在于：

包括衬底、上述衬底的一个主表面一侧上形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极，

上述上部电极是从上述绝缘层侧层积第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的结构，上述第1基础层的构成材料为IrO₂或RuO₂，上述第2基础层的构成材料为Ir或Ru，上述中间层的构成材料为从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种，上述表面层的构成材料为从Au、Ag的组中选择的一种。

2.一种薄膜型电子源，其特征在于：

包括衬底、上述衬底的一个主表面一侧上形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极，

上述上部电极是从上述绝缘层侧层积第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的结构，上述下部电极的构成材料为Al，上述绝缘层的构成材料为Al₂O₃，上述第1基础层的构成材料为IrO₂或RuO₂，上述第2基础层的构成材料为Ir或Ru，上述中间层的构成材料为从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种，上述表面层的构成材料为从Au、Ag的组中选择的一种。

3.一种薄膜型电子源，其特征在于：

包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极；

上述上部电极是从上述绝缘层侧层积第1基础层、第2基础层、第1中间层、第2中间层、表面层的结构，上述下部电极的构成材料为Al，上述绝缘层的构成材料为Al₂O₃，上述第1基础层的构成材料为IrO₂或RuO₂，上述第2基础层的构成材料为Ir或Ru，上述第1中间层的构成材料为从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种，上述第2中间层的构成材料为Pt，上述表面层的构成材料为从Au、Ag的组中选择的一种。

4.一种薄膜型电子源，其特征在于：

包括衬底、上述衬底的一个主表面一侧上形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极，

上述上部电极是从上述绝缘层侧层积第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的结构，上述下部电极的构成材料为Ti，上述绝缘层的构成材料为TiO₂，上述第1基础层的构成材料为IrO₂或RuO₂，上述第2基础层的构成材料为Ir或Ru，上述中间层的构成材料为从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种，上述表面层的构成材料为从Au、Ag的组中选择的一种。

5.一种薄膜型电子源，其特征在于：

包括衬底、上述衬底的一个主表面一侧上形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极，

上述上部电极是从上述绝缘层侧层积第1基础层、第2基础层、第1中间层、第2中间层、表面层的结构，上述下部电极的构成材料为Ti，上述绝缘层的构成材料为TiO₂，上述第1基础层的构成材料为IrO₂或RuO₂，上述第2基础层的构成材料为Ir或Ru，上述第1中间层的构成材料为从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种，上述第2中间层的构成材料为Pt，上述表面层的构成材料为从Au、Ag的组中选择的一种。

6.一种薄膜型电子源，其特征在于：

包括衬底、上述衬底的一个主表面一侧上形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极，

上述上部电极是从上述绝缘层侧层积基础层、第1中间层、第2中间层、表面层的结构，上述下部电极的构成材料为Ti，上述绝缘层的构成材料为TiO₂，上述基础层的构成材料为Ir或Ru，上述第1中间层的构成材料为从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种，上述第2中间层的构成材料为Pt，上述表面层的构成材料为从Au、Ag的组中选择的一种。