[发明专利]用作集成电路器件熔丝的钨插塞

权利要求书

1.一种介质层中的用于集成电路(IC)微调的熔丝电路，其包括：

一个第一导电层；

一个第二导电层；

一个第三导电层；

一个第四导电层；

一个第一金属插塞，其连接在所述第一导电层和第二导电层之间；

至少一个金属插塞，其连接在所述第一导电层和第三导电层之间，其中通过所述第一金属插塞、所述第一导电层、和所述至少一个金属插塞在所述第二导电层和所述第三导电层之间形成第一导通路径，并且通过把预定电流提供给所述第一导通路径来损毁所述第一金属插塞以切断所述第一导通路径；和

一个第二金属插塞，其连接于所述第二导电层和所述第四导电层之间，其中通过所述第二金属插塞和所述第一导通路径在所述第四导电层和所述第三导电层之间形成第二导通路径。

2.如权利要求1所述之熔丝电路，其中所述第一导电层为导电硅化物层。

3.如权利要求1所述之熔丝电路，其中所述第二和第三导电层为金属层。

4.如权利要求1所述之熔丝电路，其中所述第一金属插塞和所述至少一个金属插塞为钨插塞。

5.如权利要求1所述之熔丝电路，其中通过提供预定电流来损毁所述第二金属插塞，以切断所述第二导通路径。

6.如权利要求1所述之熔丝电路，其中所述第四导电层为金属层。

7.如权利要求1所述之熔丝电路，其中所述第二金属插塞为钨插塞。

8.一种具有作为微调熔丝的金属插塞的设备，其包括：

一个具有预定义功能的集成电路；和

一个连接到所述集成电路的微调单元，所述微调单元可调节所述集成电路的一个参数，所述微调单元包括：

一个第一导电层；

一个第二导电层；

一个第三导电层；

一个第四导电层；

一个第一金属插塞，其连接在所述第一导电层和第二导电层之间；

至少一个金属插塞，其连接在所述第一导电层和第三导电层之间，其中通过所述第一金属插塞、所述第一导电层和所述至少一个金属插塞在所述第二导电层和所述第三导电层之间形成一个第一导通路径，并且通过提供预定电流来切断所述第一导通路径来调节所述参数；和

一个第二金属插塞，其连接于所述第二导电层和所述第四导电层之间，其中通过所述第二金属插塞和所述第一导通路径在所述第四导电层和所述第三导电层之间形成第二导通路径。

9.如权利要求8所述之设备，其中通过使用所述预定电流损毁所述第一金属插塞来切断所述第一导通路径。

10.如权利要求8所述之设备，其中所述第一金属插塞和所述至少一个金属插塞为钨金属插塞。

11.如权利要求8所述之设备，其中所述第一导电层为导电硅化物层。

12.如权利要求8所述之设备，其中所述第二和第三导电层为金属层。