[发明专利]有机电致发光结构及其制作方法

权利要求书

1.一种有机电致发光结构，其特征在于，至少包含有：

一第一电极；

一蓝色发光图案层，设置于该第一电极的表面，用以产生蓝色光；

一绿色发光图案层，设置于该第一电极的表面，用以产生绿色光；

一红色发光及电子传输层，设置于该第一电极的表面、该蓝色发光图案层 的表面，以及该绿色发光图案层的表面，用以产生红色光并一并发挥电子传输 的作用；以及

一第二电极，设置于该红色发光层及电子传输层上；

该红色发光及电子传输层包含有一电子传输主体材料与一产生红色光的 发光掺杂材料；

该主体材料的最低未占据分子轨域能阶低于或等于该蓝色发光图案层的 最低未占据分子轨域能阶与该绿色发光图案层的最低未占据分子轨域能阶，且 该主体材料的最高占据分子轨域能阶低于该蓝色发光图案层的最高占据分子 轨域能阶与该绿色发光图案层的最高占据分子轨域能阶；

该掺杂材料的最高占据分子轨域能阶高于该主体材料的最高占据分子轨 域能阶，且该掺杂材料的最低未占据分子轨域能阶低于该主体材料的最低未占 据分子轨域能阶。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，该主体材料 的最高占据分子轨域能阶为-6.1eV，且该蓝色发光图案层的最高占据分子轨域 能阶与该绿色发光图案层的最高占据分子轨域能阶皆为-5.8eV。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，该主体材料 的最低未占据分子轨域能阶为-2.8eV，且该蓝色发光图案层的最低未占据分子 轨域能阶与该绿色发光图案层的最低未占据分子轨域能阶皆为-2.8eV。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，该主体材料 的最高占据分子轨域能阶为-6.1eV，且该掺杂材料的最高占据分子轨域能阶为 -5.4eV。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，该主体材料 的最低未占据分子轨域能阶为-2.8eV，且该掺杂材料的最低未占据分子轨域能 阶为-3.1eV。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，该红色发光 及电子传输层具有一不平坦的上表面。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，更包括一空 穴注入结构，设置于该第一电极与该蓝色发光图案层、绿色发光图案层、红色 发光及电子传输层之间。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光结构，其特征在于，该空穴注入 结构包含有一空穴注入层设置于该第一电极的表面，以及一空穴传输层，设置 于该空穴注入层的表面。

9.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，另包含有一 电子注入层，设置于该第二电极与该红色发光及电子传输层之间。

10.一种制作有机电致发光结构的方法，其特征在于，至少包含有：

提供一基板，该基板上包含有一第一电极；

在该第一电极之上形成一蓝色发光图案层；

在该第一电极之上形成一绿色发光图案层；

全面性地在该第一电极之上、该蓝色发光图案层的表面与该绿色发光图案 层的表面形成一红色发光及电子传输层；以及

在该红色发光及电子传输层上形成一第二电极；

该红色发光及电子传输层包含有一电子传输主体材料与一产生红色光的 发光掺杂材料；

该主体材料的最低未占据分子轨域能阶低于或等于该蓝色发光图案层的 最低未占据分子轨域能阶与该绿色发光图案层的最低未占据分子轨域能阶，且 该主体材料的最高占据分子轨域能阶低于该蓝色发光图案层的最高占据分子 轨域能阶与该绿色发光图案层的最高占据分子轨域能阶；

该掺杂材料的最高占据分子轨域能阶高于该主体材料的最高占据分子轨 域能阶，且该掺杂材料的最低未占据分子轨域能阶低于该主体材料的最低未占 据分子轨域能阶。