[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效
申请号: | 200710097864.X | 申请日: | 2007-04-20 |
公开(公告)号: | CN101179110A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 金钟允;崔炳德 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32;H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;韩素云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 及其 制造 方法 | ||
本申请参考先前于2006年11月10日在韩国知识产权局提交并适时地分配序列号10-2006-0111298的题为“有机发光显示器及其制造方法”的申请,将其包含于此并要求其全部权益。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法,更具体地讲,本发明涉及这样一种有机发光显示器及其制造方法,即在该有机发光显示器及其制造方法中,防止在制造工艺过程中或制造工艺之后UV线穿过基底冲击(impinging)有机发光二极管,防止弯曲或损坏,并缩短了制造工艺时间。
背景技术
通常,有机发光显示器是当通过向荧光或磷光有机化合物提供电流而使电子和空穴结合时发光的自发射显示装置。通过电压驱动n×m有机发光二极管或对n×m有机发光二极管写入电流来显示图像。
如图1所示,这样的有机发光显示器包括阳极电极(ITO:氧化铟锡)、有机薄膜和阴极电极(金属)。有机薄膜由以下层构成:发射层(EML),当电子和空穴结合时通过产生激子来发光;电子传输层(ETL),控制电子的运动速度;空穴传输层(HTL),控制空穴的运动速度。此外,在ETL中可形成电子注入层(EIL),在HTL中可形成空穴注入层(HIL)。
由于这样的有机发光显示器的优点在于视角宽、响应速度快、自发光和能耗低,所以它被很好地用作运动图像显示装置,并可被制造为轻型的且薄型的。此外,可在低温下制造有机发光显示器,且由于制造工艺简单,所以可以以低成本制造有机发光显示器。此外,由于有机发光材料技术和工艺技术日益发展,所以期望有机发光显示器将替代传统的平板显示装置。
由于正在以薄且紧凑的尺寸制造的诸如蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、笔记本计算机、计算机监视器和电视机的电子设备正不断增加,所以要求有机发光显示器的厚度为1mm或更小。然而,还没有足够好地开发能够替代包封技术的保护膜技术,难以制造厚度为1mm或更小的有机发光显示器。
因此,为了制造厚度为1mm或更小的有机发光显示器,第JP2005-340182、JP2005-222930和JP2005-222789号日本专利描述了这样一种方法,在该方法中,通过在两个玻璃基底上分别形成二极管层(半导体层和有机发光二极管等),结合玻璃基底使得相应的二极管层彼此面对,利用蚀刻或研磨工艺去除玻璃基底的没有二极管层的表面,来制造纤细的有机发光显示器。
然而,在这种方法中存在一个问题,即,因为在玻璃基底上分别形成半导体层或有机发光二极管,随后执行蚀刻或研磨工艺,所以延长了制造工艺时间。此外,因为在结合工艺过程中经常损坏或折断玻璃基底、半导体层和有机发光二极管,所以生产率低,因此制造成本高。
当然,可以制造厚度为1mm或更小的玻璃基底,随后在玻璃基底的表面上形成二极管层。然而,存在一个问题,即,玻璃基底的厚度太薄,所以在制造工艺过程中由于与制造机器的机械接触而导致玻璃基底弯曲或折断。
发明内容
已经开发出本发明来克服以上问题,本发明的一个目的是提供一种薄型有机发光显示器及其制造方法。
本发明的另一目的在于提供一种有机发光显示器,该有机发光显示器防止在制造工艺过程中或制造工艺之后UV线穿过基底冲击有机发光二极管。
本发明的又一目的在于防止基底在制造工艺过程中弯曲或折断。
本发明的又一目的在于通过缩短制造工艺时间来增大生产率,并降低制造成本。
为了实现上述目的,提供了一种有机发光显示器,该有机发光显示器包括:基底;有机发光二极管、绝缘层和半导体层,布置在所述基底上,所述绝缘层布置在所述有机发光二极管和所述半导体层之间;非透射层,布置在所述绝缘层上,所述非透射层布置在所述绝缘层和所述有机发光二极管之间并阻挡UV线。
优选地,所述有机发光显示器还包括:缓冲层,布置在所述基底上;栅极绝缘层,布置在所述半导体层上;栅电极,布置在所述栅极绝缘层上;层间介电层,布置在所述栅电极上;源/漏电极,布置在所述层间介电层上,其中,所述绝缘层布置在所述源/漏电极和所述有机发光二极管之间。
优选地,所述非透射层布置在所述有机发光二极管的外围。优选地,所述非透射层在所述绝缘层的对应于所述半导体层的上表面上布置在所述有机发光二极管的外围。优选地,所述非透射层在所述绝缘层的不对应于所述半导体层的上表面上布置在所述有机发光二极管的外围。优选地,所述非透射层连接到所述有机发光二极管的阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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