[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 200710098171.2 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290958A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赵自皓;李晓乔;许晋源 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1、一种发光二极管封装结构，其特征在于，至少包含：
一散热块；
一发光二极管芯片，位于该散热块上；
一钻石粉末层，包覆于该发光二极管芯片上，且共形于该发光二极管芯片的表面；
一荧光粉硅胶层，包覆于该钻石粉末层上，且共形于该钻石粉末层的表面；以及
一透镜层，包覆于该荧光粉硅胶层外，其中该发光二极管芯片、该钻石粉末层、该荧光粉硅胶层以及该透镜层的折射率依序递减。
2、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的厚度介于0.1微米至约0.5微米的范围。
3、根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的折射率约1.7。
4、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉硅胶层的厚度介于约20微米到约50微米的范围。
5、根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉硅胶层的折射率约1.54。
6、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透镜层的折射率约1.4。
7、一种发光二极管封装结构，其特征在于，至少包含：
一散热块；
一发光二极管芯片，位于该散热块上；
一钻石粉末层，包覆于该发光二极管芯片上，且共形于该发光二极管芯片的表面；
一荧光粉高分子材料层，包覆于该钻石粉末层上，且共形于该钻石粉末层的表面；以及
一透镜层，包覆于该荧光粉高分子材料层外，其中该发光二极管芯片、该钻石粉末层、荧光粉高分子材料层以及该透镜层的折射率依序递减。
8、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的厚度介于约0.1微米至约0.5微米的范围。
9、根据权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该钻石粉末层的折射率约1.7。
10、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉高分子材料层的厚度介于约20微米到约50微米的范围。
11、根据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉高分子材料层的折射率约1.68。
12、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透镜层为一高分子胶材与无机纳米级颗粒的混合物。
13、根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透镜层的折射率介于约1.4到约1.68的范围。
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