[发明专利]高电压偏置PMOS电流源电路无效

专利信息
申请号: 200710098463.6 申请日: 2007-04-18
公开(公告)号: CN101290526A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 倪卫宁;袁凌;石寅 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电压 偏置 pmos 电流 电路
【权利要求书】:

1、一种高电压偏置PMOS电流源电路,其特征在于,包括:

一高增益运算放大电路,由两极CMOS放大器组成,该两级CMOS放大器的第一级为COMS折叠式共源共栅结构的差分输入放大器,第二级为单管MOS放大器;

一与温度和电源无关的电压产生电路,由四个标准CMOS工艺中实现的双极PNP晶体管构成的正负温度系数抵消电路构成,该与温度和电源无关的电压产生电路通过节点2和3与高增益运算放大电路的输入端连接,从而实现钳制输出的作用;

一启动电路,由四个标准CMOS工艺中实现的双极PNP晶体管构成,该启动电路的输出连接到与温度和电源无关的电压产生电路的节点2,以防止与温度和电源无关的电压产生电路进入死区;

一输出调节电路,由一个标准CMOS工艺中实现的双极PNP晶体管构成,该输出调节电路的输入连接到与温度和电源无关的电压产生电路的节点4,从而实现钳制输出的作用;

一电流源偏置电路,该电流源偏置电路的输入与输出调节电路的输出连接,该电流源偏置电路由一个输入运算放大器和共源共栅结构电流镜构成,运算放大器的输出连接到共源共栅结构电流镜的输入,该电流源偏置电路完成由电压到电流的转换。

2、根据权利要求1所述的高电压偏置PMOS电流源电路,其特征在于,其中高电压偏置PMOS电流源电路的输出电压是根据该电路中的电阻比值来调节,调节关系由与温度和电源无关的电压产生电路的电阻和输出调节电路中的电阻的比值决定,其调节关系遵循以下公式:

VOUT=(R2/RF2)×V1

其中:R2为输出调节电路的电阻、RF2为与温度和电源无关的电压产生电路的电阻、V1为与温度和电源无关的电压产生电路的输出电压、VOUT为输出调节电路的输出电压。

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