[发明专利]一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法

权利要求书

1、一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，包括：

1)进行浅槽隔离；

2)淀积硬掩膜；

3)通过光刻定义纳米线，其宽度为后续形成器件的沟道区宽度；

4)刻蚀硬掩膜；

5)淀积氧化层后，刻蚀形成侧墙，进行源漏注入；

6)淀积厚氧化层；

7)通过光刻定义槽结构，该槽结构的宽度定义后续形成纳米线器件的沟道长度；

8)刻蚀厚氧化层，再以前面形成的硬掩膜作为阻挡层，刻蚀硅，其厚度决定后续形成沟道线条的高度；

9)继续刻蚀硅衬底，其高度决定纳米线器件底栅高度；

10)各向同性腐蚀，去除所述的硬掩膜和侧墙；

11)形成栅氧化层，淀积多晶硅，栅注入；

12)平坦化，退火激活杂质；

13)采用常规CMOS工艺完成后续流程，完成器件制备。

2、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤2)采用的是化学气相淀积方法，淀积氧化硅和氮化硅。

3、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤3)采用的是电子束光刻方法。

4、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤5)为化学气相淀积氧化硅，并反应离子刻蚀形成侧墙。

5、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤8)中采用各向异性刻蚀技术刻蚀硅。

6、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤9)中采用反应离子刻蚀技术各向同性刻蚀硅。

7、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤10)中去除硬掩膜和侧墙的方法：采用浓磷酸煮的方法去除氮化硅，采用氢氟酸漂去氧化硅。

8、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤10)之后，进一步氢气退火，减小沟道区界面态和优化纳米线条形状。

9、如权利要求1所述的体硅纳米线晶体管器件的制备方法，其特征在于：所述步骤12)为在氮气中快速退火。