[发明专利]一种灵敏大信号输出微型压力传感器有效
| 申请号： | 200710099061.8 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101303240A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | G01D5/24 | 分类号： | G01D5/24;G01L1/14 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100041*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏 信号 输出 微型 压力传感器 | ||
1、一种灵敏大信号输出微型压力传感器，包括传感器电容部分和金属氧 化物半导体场效应晶体管MOSFET器件，其特征在于，
所述传感器电容部分与所述MOSFET器件相分离，具体为：所述传感器电 容部分的导电浮动层调整延伸到MOSFET器件的栅绝缘层，形成MOSFET器件 的浮栅。
2、如权利要求1所述的灵敏大信号输出微型压力传感器，其特征在于：所 述导电浮动层在一个电介质层上形成传感器电容部分的底板。
3、如权利要求1所述的灵敏大信号输出微型压力传感器，其特征在于：所 述MOSFET器件的栅绝缘层包括氧化膜或氮氧化介质。
4、如权利要求1所述的灵敏大信号输出微型压力传感器，其特征在于：所 述MOSFET器件的源极和漏极采用不同的掺杂类型，在MOSFET器件沟道的源 极内侧形成隧道结。
5、如权利要求4所述的灵敏大信号输出微型压力传感器，其特征在于：所 述MOSFET器件的源极为N型掺杂、漏极为P型掺杂。
6、如权利要求4或5所述的灵敏大信号输出微型压力传感器，其特征在于： 所述MOSFET器件的源极和漏极的掺杂浓度为1×1019～2×1020/cm-3范围内。
7、如权利要求1所述的灵敏大信号输出微型压力传感器，其特征在于：所 述传感器电容部分的导电浮动层注入有电荷，通过电荷数来调整传感器阈值电 压。
8、如权利要求7所述的灵敏大信号输出微型压力传感器，其特征在于：所 述导电浮动层中的电荷是离子注入的。
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