[发明专利]提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构

权利要求书

1、一种提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中包括：

一衬底；

一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上面，该缓冲层的作用是屏蔽来自衬底的缺陷和使生长平面平整；

一量子阱层，该量子阱层制作在缓冲层上面，该量子阱层在势垒层上生长时产生应力弛豫，并将这一应力弛豫导入其上面的量子点层，使浸润层厚度减小；

一势垒层，该势垒层制作在量子阱层上面，该势垒层对量子点层中的载流子起限制作用，防止其由于热激发跃迁而导致的量子点材料光学性质温度稳定性的下降；

一量子点层，该量子点层制作在势垒层上面，该量子点层受激发时产生电子-空穴对，辐射复合发光；

一盖层，该盖层制作在量子点层上面，该盖层的作用是改变量子点的光学性质，增大其基态和激发态的能级间距。

2、根据权利要求1所述的提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中所选用的衬底的材料是砷化镓。

3、根据权利要求1所述的提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中所述缓冲层的材料是砷化镓。

4、根据权利要求1所述的提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中所述量子阱层的材料是砷化铟镓。

5、根据权利要求1所述的提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中所述势垒层的材料是砷化镓。

6、根据权利要求1所述的提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中所述量子点层的材料是砷化铟。

7、根据权利要求1所述的提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中所述盖层的材料是砷化镓。

8、根据权利要求1所述的提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中所述的在衬底上制作的缓冲层、量子阱层、势垒层、量子点层、盖层是采用分子束外延或金属有机化学气相沉积的方法生长的。