[发明专利]提高半导体型碳纳米管发光效率的方法

权利要求书

1.一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：

制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；

其中制备碳纳米管束的方法包括：

a)利用微机械将不同碳纳米管组合成碳纳米管束；

b)利用物理和化学方法直接生长碳纳米管束；

c)把碳纳米管溶解到化学试剂中，通过化学物理方法分离和获取不同尺寸的碳纳米管束；

把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率。

2.根据权利要求1所述的提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，其中碳纳米管束全部由半导体型碳纳米管组成，或者含有少量的金属型碳纳米管。

3.根据权利要求1所述的提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，其中激发光包括激光，由发光二极管和广谱光源发出的光。