[发明专利]一种高温低磁场大磁熵材料化合物及其制备方法

权利要求书

1.一种高温低磁场大磁熵材料化合物，其特征在于：具有NaZn₁₃结构的La(Fe_yCo_1-y)_13-xAl_x材料，1.50≥x≥1.2，y的取值从0.075到0.15；M²随μ₀H/M变化的曲线在居里温度是线性的，并且居里温度大于305K，小于360K。

2.按照权利要求1所述的化合物，其特征在于：La被单一或一个以上的稀土元素Pr，Nd替换，替代量以原子百分比计算，从3％到20％范围内。

3.按照权利要求1所述的化合物，其特征在于：Al被Si、Ge、Sn替换，替代量以原子百分比计算，在10％之内。

4.按照权利要求1所述的化合物，其特征在于：在磁场变化为2T下，在磁熵随温度变化的曲线上，最大磁熵变化值的绝对值和最大磁熵变化值的一半对应的温度范围ΔT的乘积大于155，小于300。

5.按照权利要求1所述的化合物，其特征在于：在磁场变化为2T下，在磁熵随温度变化的曲线上，最大磁熵变化值的绝对值大于3J/Kg.K，小于8J/Kg.K。

6.按照权利要求1所述的化合物，其特征在于：它的磁性相变是二级相变。

7.一种制备权利要求1所述的化合物的方法，其特征在于：将La、Fe、Co、Al原材料按化学组分进行配比，放入熔炼炉中，熔炼前抽真空至4×10^-3Pa以上，然后通入氩气，均匀熔炼；将均匀熔炼后获得的化合物在900～1100℃下均匀化处理120～360小时，然后放入冰水中冷却，以得到单一的NaZn₁₃相。

8.按照权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的熔炼炉为真空电弧炉，感应炉或其它冶炼炉。

9.按照权利要求7所述的方法，其特征在于，将La用Nd，或Pr替代，替换量从原子比的3％到20％。

10.按照权利要求7所述的方法，其特征在于，将Al用Si、Sn或Ge替代，在10％之内。