[发明专利]一种制作电阻随机存储单元阵列的方法有效
| 申请号： | 200710100014.0 | 申请日： | 2007-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101079395A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 王振中;赵宏武;陈东敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 电阻 随机 存储 单元 阵列 方法 | ||
1.一种制作电阻随机存储单元阵列的方法，其具体步骤为：
(1)在底电极金属层表面制备出镨钙锰氧(PCMO)薄膜后，首先在缺氧的条件下对其进行退火处理，然后原位溅射金属薄膜保护层；
(2)在样品表面涂上光刻胶，然后前烘、紫外曝光、显影、定影、后烘，转移底电极总线图形；
(3)用氩离子刻蚀顶层金属薄膜保护层；
(4)用氧化性蚀刻溶液刻蚀镨钙锰氧(PCMO)薄膜；
(5)用氩离子刻蚀底层电极金属层，刻出底电极总线；
(6)用丙酮或其他有机溶剂除去光刻胶，并再次涂光刻胶套刻出存储单元图形，并重复步骤(3)、(4)，刻出存储单元；
(7)沉积绝缘材料，绝缘材料的厚度大于镨钙锰氧(PCMO)薄膜和底电极金属层厚度的和；
(8)用丙酮或其他有机溶液去除光刻胶；
(9)再在表面涂上光刻胶，在原有图形的基础上套刻出顶电极总线图形；
(10)溅射顶电极金属薄膜，顶电极金属薄膜的材料是Pt、Ag、Au中的一种，薄膜厚度100nm；
(11)重复步骤(8)，去除光刻胶，形成顶电极总线。
2.根据权利要求1所述的制作电阻随机存储单元阵列的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的缺氧条件是指在退火时生长室中没有氧气。
3.根据权利要求1所述的制作电阻随机存储单元阵列的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的退火温度是300℃～450℃。
4.根据权利要求1所述的制作电阻随机存储单元阵列的方法，其特征在于，所述步骤(1)中金属薄膜保护层的材料是Pt、Ag、Au中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的制作电阻随机存储单元阵列的方法，其特征在于，所述步骤(4)中所述氧化性蚀刻溶液是FeCl3、KMnO4及KIO3中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
