[发明专利]制备单质钨膜的方法有效
| 申请号： | 200710100161.8 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101319304A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王海斗;徐滨士;庄大明;张弓;刘家浚;李国禄;朱丽娜;康嘉杰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军装甲兵工程学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/54;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100072北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 单质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备单质钨膜的方法，其特征在于，包括以下工艺：以45#钢 作为成膜基体，镀膜前将基体经过淬火处理，硬度为55HRC，经磨削后表 面粗糙度为0.4μm；镀膜前将基体加热至：150℃；在磁控溅射设备中， 高纯氩气环境下采用纯钨靶在基体上溅射沉积钨膜；
工作气体为：99.999％的高纯Ar气；
工作气压为：3×10-3Pa；
溅射电流为：2A；
W膜的沉积速率为75nm/min；
最终得到的W为纳米膜的厚度为：2μm。
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