[发明专利]一种薄膜晶体管结构及其制备方法

权利要求书

1、一种薄膜晶体管结构，包括：基板，形成在所述基板上的栅极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源漏电极、钝化层和像素电极，其中像素电极同源漏电极的漏极端相连接，其特征在于：在所述掺杂半导体层上部及所述源漏电极的下方设置有SiNx或者SiOxNy层；所述SiNx或者SiOxNy层的厚度为8-15nm。

2、根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于：所述源漏电极的材料为铝合金，包括两元铝合金和多元铝合金。

3、一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，提供一基板，在所述基板上利用磁控溅射的方法沉积一层金属薄膜，利用光刻和刻蚀的方法制备形成栅电极图形；

步骤2，在完成步骤1的基板上利用化学气相沉积法依次沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层；

步骤3，在完成步骤2的基板上利用化学气相沉积法沉积一薄层SiNx或者SiOxNy层，所述SiNx或者SiOxNy层的沉积厚度为8-15nm，利用光刻和干法刻蚀的工艺形成导电的沟道；

步骤4，在完成步骤3的基板上利用磁控溅射的方法形成一层源漏金属层，利用光刻和刻蚀的方法形成源漏电极，形成的该源漏电极分别通过所述步骤3中形成的SiNx层或者SiOxNy，与所述掺杂半导体层形成接触；

步骤5，在完成步骤4的基板上利用化学气相沉积法形成一层钝化层，利用光刻和刻蚀的工艺制备出所述沟道的保护层，并同时在保护层上刻蚀形成过孔；

步骤6，在完成步骤4的基板上利用磁控溅射的方法沉积透明像素电极薄膜，利用光刻和刻蚀工艺形成像素电极图形，同时使像素电极通过所述过孔和所述源漏电极的漏极端连接。

4、根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述步骤4中形成一层源漏金属层具体为形成一层铝合金金属层。

5、一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，提供一基板，在所述基板上利用磁控溅射的方法沉积一层金属薄膜，利用光刻和刻蚀的方法制备形成栅电极图形；

步骤2，在完成步骤1的基板上利用化学气相沉积法依次沉积栅绝缘层，半导体层和掺杂半导体层；

步骤3，在完成步骤2的基板上利用化学气相沉积法沉积一薄层SiNx或者SiOxNy层，所述SiNx或者SiOxNy层的沉积厚度为8-15nm，利用光刻和干法刻蚀的工艺形成硅岛；

步骤4，在完成步骤3的基板上利用磁控溅射的方法沉积透明像素电极薄膜，利用光刻和刻蚀工艺形成像素电极图形；

步骤5，在完成步骤4的基板上利用磁控溅射的方法在以上图形上沉积一层源漏金属层，利用光刻和刻蚀的方法形成源漏电极，形成的源漏电极分别通过所述步骤3中形成的SiNx层或者SiOxNy，与掺杂半导体层形成接触，同时又和所述像素电极形成电连接；对掺杂半导体层进行刻蚀形成导电沟道。

步骤6，在完成步骤5的基板上利用化学气相沉积法形成一层钝化层，利用光刻和刻蚀的工艺制备出所述沟道的保护层。

6、根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述步骤5中形成一层源漏金属层具体为形成一层铝合金金属层。