[发明专利]一种温差发电装置无效

专利信息
申请号: 200710100352.4 申请日: 2007-06-08
公开(公告)号: CN101106344A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 梁志伸 申请(专利权)人: 梁志伸
主分类号: H02N11/00 分类号: H02N11/00;H01L35/00
代理公司: 北京同汇友专利事务所 代理人: 高云瑞;杨宗润
地址: 102600*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 温差 发电 装置
【权利要求书】:

1.一种温差发电装置,其特征在于:具有能将液体加热至高温(T1)并对外输出和能将液体冷却至低温(T2)并对外输的水源热泵,以及半导体PN节组件——发电芯;发电芯的具体结构为,由规则连接组合在一起的半导体PN节并经绝缘封装后组成,同时引出输出直流电源的正、负极,各半导体PN节中的P与N型半导体之间具有间距S;发电芯的两个侧面上分别装有一个紧贴在各侧面上并与各侧面进行有效热传导的高温水槽和低温水槽;水源热泵输出的高温(T1)的液体经高温接管,通过高温水槽循环,水源热泵输出的低温(T2)的液体经低温接管,通过低温水槽循环。

2.根据权利要求1所述的一种温差发电装置,其特征在于:发电芯(7)为半导体PN节串联增大输出电压式结构,P、N型半导体依序间隔排列,各半导体PN节依序相互串联在一起,各半导体PN节中的P与N型半导体之间的间距(S)为0.5~1.5mm,各半导体PN节中的节(9)以导电性能高的锡或银焊接而成;发电芯(7)的左侧面上装有高温水槽(3),右侧面上装有低温水槽(4);由位于最顶部的半导体PN节的P型半导体引出输出直流电源的负极,由位于最底部的半导体PN节的N型半导体引出输出直流电源的正极。

3.根据权利要求1所述的一种温差发电装置,其特征在于:发电芯(7)为半导体PN节串联兼并联增大输出电流式结构,P、N型半导体依序间隔排列,同一列中的各半导体PN节依序相互串联在一起组成一个单元,各单元相互并联在一起,各半导体PN节中的P与N型半导体之间的间距(S)为0.5~1.5mm,各半导体PN节中的节(9)以导电性能高的锡或银焊接而成;发电芯(7)的左侧面上装有高温水槽(3),右侧面上装有低温水槽(4),由位于最顶部的半导体PN节的P型半导体引出输出直流电源的负极,由位于最底部的半导体PN节的N型半导体引出输出直流电源的正极。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种温差发电装置,其特征在于:各半导体PN节中的P及N型半导体,均分别呈一分为二式的结构,即P型半导体由两块位于同一平面上并有间距为(a)的小块P型半导体组成,间距(a)上具有低电阻的过桥导线或过桥导板15将两小块P型半导体连接在一起;N型半导体由两块位于同一平面上并有间距为(b)的小块N型半导体组成,间距(b)上具有低电阻的跨桥导线或跨桥导板16将两小块N型半导体连接在一起;所述间距(a)和(b)均为5~15cm。

5.根据权利要求1、2或3所述的一种温差发电装置,其特征在于:高温(T1)为60~100℃,低温(T2)为1~3℃。

6.根据权利要求4所述的一种温差发电装置,其特征在于:高温(T1)为60~100℃,低温(T2)为1~3℃。

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