[发明专利]反射型液晶显示设备以及液晶投影仪系统有效
申请号: | 200710100804.9 | 申请日: | 2007-04-18 |
公开(公告)号: | CN101059632A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 市川武史 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 液晶显示 设备 以及 液晶 投影仪 系统 | ||
1、一种反射型液晶显示设备,包括:
具有透光电极的透光衬底;以及
第一导电型半导体衬底,布置为与所述透光衬底相对,在所述透光衬底和第一导电型半导体衬底之间夹着液晶,所述第一导电型半导体衬底具有以矩阵方式布置的多个像素电极;
其中,
所述第一导电型半导体衬底具有像素,所述像素包括:第一半导体区,其用作电连接到所述像素电极的开关元件的主电极区,并具有与第一导电型相反的第二导电型;和具有第二导电型的第二半导体区,并且
当第一和第二半导体区中的第二导电型多数载流子的单位电荷被定义为Q时,第二半导体区的电压和Q的乘积比第一半导体区的电压的基准值和Q的乘积小。
2、根据权利要求1所述的反射型液晶显示设备,其中当第二导电型多数载流子是电子时,第二半导体区的电压比第一半导体区的电压的基准值高。
3、根据权利要求1所述的反射型液晶显示设备,其中当第二导电型多数载流子是空穴时,第二半导体区的电压比第一半导体区的电压的基准值低。
4、根据权利要求1所述的反射型液晶显示设备,其中在所有驱动周期中,针对第二导电型多数载流子,第二半导体区的电压和Q的乘积比第一半导体区的电压和Q的乘积小。
5、根据权利要求2所述的反射型液晶显示设备,其中在所有驱动周期中,第二半导体区的电压比第一半导体区的电压高。
6、根据权利要求3所述的反射型液晶显示设备,其中在所有驱动周期中,第二半导体区的电压比第一半导体区的电压低。
7、根据权利要求1所述的反射型液晶显示设备,其中第二半导体区在第一半导体区的外围的至少一部分提供,而且所述第一半导体区的外围的至少一部分包括从所述第一导电型半导体衬底的表面一侧观察的第一半导体区的周围的一部分。
8、根据权利要求1所述的反射型液晶显示设备,其中所述开关元件是场效应晶体管,第一半导体区是漏极区并具有要连接到所述像素电极的电容器,所述电容器的一个电极通过绝缘层在所述第一导电型半导体衬底上形成并连接到所述像素电极,所述电容器的另一个电极用第二半导体区配置,且第二半导体区在所述漏极区的周围除了场效应晶体管的沟道区以外的部分提供。
9、一种反射型液晶显示设备,包括:
具有透光电极的透光衬底;以及
第一导电型半导体衬底,布置为与所述透光衬底相对,在所述透光衬底和第一导电型半导体衬底之间夹着液晶,所述第一导电型半导体衬底具有以矩阵方式布置的多个像素电极;
其中,
所述第一导电型半导体衬底具有像素,所述像素包括:第一半导体区,其用作电连接到所述像素电极的开关元件的主电极区,并具有与第一导电型相反的第二导电型;和具有第二导电型的第二半导体区,并且
当第二导电型多数载流子是电子时,第二半导体区的电压比第一半导体区的电压的基准值高。
10、一种反射型液晶显示设备,包括:
具有透光电极的透光衬底;以及
第一导电型半导体衬底,布置为与所述透光衬底相对,在所述透光衬底和第一导电型半导体衬底之间夹着液晶,所述第一导电型半导体衬底具有以矩阵方式布置的多个像素电极;
其中,
所述第一导电型半导体衬底具有像素,所述像素包括:第一半导体区,其用作电连接到所述像素电极的开关元件的主电极区,并具有与第一导电型相反的第二导电型;和具有第二导电型的第二半导体区,并且
当第二导电型多数载流子是空穴时,第二半导体区的电压比第一半导体区的电压的基准值低。
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