[发明专利]具有真空侧壁子的相变存储单元

权利要求书

1、一种存储器单元，包含：

第一电极构件和第二电极构件，其在衬底上相互分离；

相变元件，其与所述第一电极构件和第二电极构件电性接触且连接分离两者间的空间，其中：

所述相变元件包含两个区段，每一段与所述第一电极构件和第二电极构件中的一个接触，并在所述两个电极之间的一个位置处相连，使得所述相连位置有着小于所述相变元件其余部分的横截面积；以及

所述第一电极构件和第二电极构件、所述衬底和所述相变元件定义一个气室。

2、如权利要求1所述的存储器单元，其中，所述相变元件包含锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)的组合。

3、如权利要求1所述的存储器单元，其中，所述相变元件包括二种或二种以上选自下列族群中的材料的组合：锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金(Au)。

4、如权利要求1所述的存储器单元，还包括介质填充材料，其与所述第一电极构件和第二电极构件接触且环绕所述相变元件，还封闭由所述第一电极构件和第二电极构件与所述相变元件所定义的所述气室。

5、一种制造存储器单元的方法，所述方法包含：

提供衬底；

在所述衬底上形成两个电极，所述两个电极由这两个电极之间的空间所分离；

在所述两个电极之上形成相变存储元件，包含下列步骤：

开始，在所述两个电极之上沉积相变材料，使得所述相变材料向所述电极间的空间延伸；以及

继续所述沉积直到沉积在所述两个电极上的所述材料在所述电极间的空间互相连接而定义真空侧壁子。

6、如权利要求5所述的方法，其中，所述相变存储元件包含锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)的组合。

7、如权利要求5所述的方法，其中，所述相变存储元件包括二种或二种以上选自下列族群中的材料的组合：锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金(Au)。

8、如权利要求5所述的方法，还包括在由所述电极与所述相变存储元件形成的结构之上沉积介质填充材料层。