[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括：

第一基板层，其成分包括合金42材料；

晶粒，附着于该第一基板层的第一侧面上；及

互连线结构，位于该晶粒上，其中该互连线结构包括插塞及连接该晶粒的导线。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其还包括第二基板层，该第二基板层成分包括合金42材料，位于该第一基板层的第一侧面上，其中该品粒形成于该第二基板层的开口中。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其还包括额外的电子元件，附着于该第一基板层的第一侧面上且连接到该互连线结构。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该互连线结构包括插塞以直接连接到该晶粒。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该第一基板层相对于该第一侧面的第二侧面不含互连线结构。

6.一种半导体封装结构，包括：

第一基板层，其成分包括合金42材料；

第二基板层，附着于该第一基板层的第一侧面上；

开口，位于该第二基板层中；

晶粒，位于该开口中，且附着于该第一基板层的第一侧面上；

第一绝缘层，位于该晶粒及第二基板层上；

多个第一插塞，位于该绝缘层中且实体性接触该晶粒；及

互连线结构，位于该第一绝缘层上，其中，该互连线结构包括：

第二绝缘层，

多个第二插塞及导线，位于该第二绝缘层中，其中至少有部分的第二插塞及导线连接到所述第一插塞；及

多个球栅阵列锡球，位于该互连线结构的上表面。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其中该第二基板层成分包括合金42材料。

8.如权利要求6所述的半导体封装结构，其中该第一绝缘层包括ABF增层膜材料。

9.如权利要求6所述的半导体封装结构，其还包括额外的电子元件，附着于该第一基板层的第一侧面上，且通过第三插塞连接到该互连线结构，其中，该互连线结构和第三插塞间的连接不含凸块。

10.如权利要求6所述的半导体封装结构，其中该第一基板层相对于该第一侧面的第二侧面不含互连线结构。