[发明专利]氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法。

背景技术

即使在氮化物半导体发光元件中，对于氮化物半导体激光元件，为了调节谐振器端面的激光的反射率等目的，在成为氮化物半导体激光元件的光出射部的光出射侧的谐振器端面上形成使该谐振器端面的激光的反射率为大约10％的AR(Anti-Reflectance)涂层膜，在光反射侧的谐振器端面上形成使该激光的反射率为大约80～100％的HR(High Reflectance)涂层膜(例如，参照专利文献1(特开平09-162496号公报)、专利文献2(特开2002-237648号公报)以及专利文献3(特开平03-209895号公报)。

这里，在氮化物半导体激光器中，能够提高光出射侧的谐振器端面中的激光的反射率降低反射镜损失，从而降低阈值。另外，氮化物半导体激光元件的光出射侧的谐振器端面，有可能因COD(Catastrophic OpticalDamage)而被破坏，因此有必要提高CODL等级(光出射侧的谐振器端面因COD而被破坏时的光输出)。

然而，对于在氮化物半导体激光元件的光出射侧的谐振器端面上，作为AR涂层膜单层地形成氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钛膜、氧化钽膜或氧化锌膜等的情况下，不能够足够地提高光出射侧的谐振器端面的反射率。另外，作为与光出射侧的谐振器端面表面接触的AR涂层膜形成基于氧化铝膜和氧化硅膜的层积体的多层膜的情况下，存在COD等级较低的问题。

另外，在以往中，在提高光出射侧的谐振器端面的反射率的情况下，光出射侧的谐振器端面的光密度变大，因此难于在维持高的COD等级的同时提高光出射侧的谐振器端面的反射率。

因此，本发明的目的为提供一种能够在维持高的COD等级的同时提高光出射侧的谐振器端面的反射率的氮化物半导体激光器以及氮化物半导体激光器的制造方法。

发明内容

本发明是一种氮化物半导体发光元件，其在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜，其中，光出射部由氮化物半导体构成，涂层膜由铝的氮氧化物膜构成，反射率调整膜由氧化物膜构成，并且，光出射部对由氮化物半导体发光元件所发光的光的反射率是18％以上。

另外，优选为，在本发明的氮化物半导体发光元件中，反射率调整膜由氧化铝膜和氧化硅膜的层积体构成。

另外，优选为，在本发明的氮化物半导体发光元件中，涂层膜中的氧的含有量是35原子％以下。

另外，优选为，在本发明的氮化物半导体发光元件中，在光反射侧，依次形成氧化铝膜；氧化硅膜和氧化钛膜的层积体。

另外，优选为，在本发明的氮化物半导体发光元件中，在光反射侧，依次形成：氧化铝膜；氮化硅膜和氧化硅膜的层积体。

另外，本发明是一种氮化物半导体发光元件的制造方法，用于制造在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜的氮化物半导体发光元件，其中，包含：在光出射部上形成由铝的氮氧化物膜或铝的氮化物膜构成的涂层膜的工序；和在所述涂层膜上形成由氧化物膜构成的反射率调整膜的工序。

这里，优选为，在所述的氮化物半导体发光元件的制造方法中，作为反射率调整膜，形成氧化铝膜和氧化硅膜的层积体。

另外，在本发明的氮化物半导体发光元件的制造方法中，对于涂层膜由铝的氮氧化物膜构成的情况下，能够通过对于靶材使用氧化铝而形成涂层膜。

按照本发明，能够提供一种氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法，其能够在维持较高的COD等级的同时提高光出射侧的谐振器端面的反射率。

该发明的上述以及其他的目的、特征、局面以及有利点，应当根据与所添加的附图相关联而理解的与该发明相关的以下的详细说明，而明了。

附图说明

图1是表示作为本发明的氮化物半导体发光元件的一例的氮化物半导体激光元件的优选一例的示意性剖面图。

图2是表示图1所示的氮化物半导体激光元件的谐振器长边方向的示意性的侧视图。

图3是ECR溅射成膜装置的一例的示意性构成图。

图4是表示利用AES对按照与本发明的实施方式的涂层膜相同的条件另体制作的铝的氮氧化物，在厚度方向对组成进行分析的结果的图。

图5是表示本发明的实施方式的氮化物半导体激光元件的光出射侧的谐振器端面的反射波谱的理论计算结果的图。

图6是表示本发明的实施方式的氮化物半导体激光元件的光出射侧的谐振器端面的反射波谱的实际测定结果的图。