[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

在所述衬底之上形成的具有沟道形成区域的岛状半导体膜；

覆盖所述岛状半导体膜，且在所述岛状半导体膜的侧面的外侧的 区域中具有其侧面的栅绝缘膜；

覆盖所述沟道形成区域的导电膜，且所述导电膜和沟道形成区域 中间夹着所述栅绝缘膜；以及

由所述岛状半导体膜的侧面、所述栅绝缘膜、以及所述衬底包围 的空隙。

2.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述岛状半导体膜的侧 面不与所述栅绝缘膜以及所述导电膜接触。

3.根据权利要求1的半导体装置，其中，所述导电膜用作栅电极。

4.根据权利要求1的半导体装置，还包括：

连接于所述岛状半导体膜的漏电极和源电极。

5.一种半导体装置，包括：

衬底；

在所述衬底之上形成的具有沟道形成区域的岛状半导体膜；

覆盖所述岛状半导体膜，且在所述岛状半导体膜的侧面的外侧的 区域中具有其侧面的栅绝缘膜；

覆盖所述沟道形成区域的导电膜，且所述导电膜和沟道形成区域 中间夹着所述栅绝缘膜；以及

由所述岛状半导体膜的侧面、所述栅绝缘膜、所述导电膜以及所 述衬底包围的空隙。

6.根据权利要求5的半导体装置，其中，所述岛状半导体膜的侧 面不与所述栅绝缘膜以及所述导电膜接触。

7.根据权利要求5的半导体装置，其中，所述导电膜用作栅电极。

8.根据权利要求5的半导体装置，还包括：

连接于所述岛状半导体膜的漏电极和源电极。

9.一种半导体装置，包括：

衬底；

在所述衬底之上形成的具有沟道形成区域的岛状半导体膜；

覆盖所述岛状半导体膜，且在所述岛状半导体膜的侧面的外侧的 区域中具有其侧面的栅绝缘膜；

覆盖所述沟道形成区域的导电膜，且所述导电膜和沟道形成区域 中间夹着所述栅绝缘膜，；

在所述导电膜之上形成的绝缘膜；以及

由所述岛状半导体膜的侧面、所述栅绝缘膜、所述绝缘膜、以及 所述衬底包围的空隙。

10.根据权利要求9的半导体装置，其中，所述岛状半导体膜的 侧面不与所述栅绝缘膜以及所述导电膜接触。

11.根据权利要求9的半导体装置，其中，所述导电膜用作栅电 极。

12.根据权利要求9的半导体装置，还包括：

连接于所述岛状半导体膜的漏电极和源电极。